Функциональная электроника

  • Добавили06.07.2009
  • Размер189,84 Kб
  • Скачали156

(hvизл‹Eg). При этом коэффициент поглощения не превышает 100 см-1. В GaAs: Si-структурах ηвн составляет 40 – 70%.

Основным недостатком таких структур является невысокое быстродействие. Использование непрямозонных полупроводников в частности GaP. Известно, вероятность межзонной рекомбинации в GaP невелика (В 5.

10-14 см3/с), однако при наличии подходящего промежуточного примесного центра она резко возрастает. К сожалению, выбор таких центров ограничен. Так, для GaP ими могут служить азот и комплексы Zn-O.

Эти центры создают глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне, поэтому потери на межзонное поглощение отсутствуют ( ). Использование эффекта «широкозонного окна» в гетероструктурах. Следует отметить, что применение гетероструктур в светодиодах выгодно и по другим причинам.

Благодаря эффектам «электронного» ограничения и суперинжекции можно резко повысить концентрацию неосновных носителей в активной области и достигнуть высокого внутреннего квантового выхода при малых прямых токах. В таких случаях рекомбинация носителей происходит в ограниченной по размерам области, в которой концентрация неравновесных носителей повышается в раз по сравнению с гомопереходом при этом же уровне возбеждения (L – диффузионная длина неосновных носителей, d – толщина базы).

Скачать
Реферат Электроника и схемотехника 05.02.2010

Узлы функциональной электроники

Устройства функциональной электроники – это устройства, которые работают на различных физических явлениях, работа связана с использованием динамических неоднородностей ( временные дефекты в однородном твердом теле ). Их функционирование описывается уравнениями математической физики.

Курсовая Радиоэлектроника 26.03.2003

Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

3 1. Описание схемы для разработки 3 2. Определение электрических параметров схемы 4 3. Технологические этапы изготовления ИМС 5 4. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора 9 5. Последовательность расчета параметров интегральных резисторов

Реферат Макроэкономика 15.06.2010

Мировой рынок электроники в современных условиях

….………….1 Раздел 1…4 Раздел 2…7 Раздел3…11 Раздел 4… 15 Заключение….23 Список литературы… ……… 24 Введение Электронная промышленность начала стремительно развиваться в середине прошлого века. С 60-х годов и до настоящего времени средний годовой темп рос-та

Реферат Электроника и схемотехника 05.02.2010

Основы компьютерной электроники

“Комп’ютерна електроніка” гр. АПЗ-38 Борщ Сергія Задача № 2. Пpедложите формирователь коротких импульсов по переднему фронту положительного прямоугольного импульсного сигнала на основе дифференцирующих RC-цепей, диодов и усилителей-формирователей. Уровни

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов