Физические основы полупроводниковых приборов

  • Добавили06.07.2009
  • Размер426,93 Kб
  • Скачали214

создавая электронную проводимость. Атом мышьяка, потерявший один электрон, превращается в положительный ион, который оказывается неподвижным, так как он прочно удерживается в узле кристаллической решетки парноэлектронными связями. Подвижные носители зарядов, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает, называются основными носителями зарядов.

Элементы, атомы которых отдают свои электроны, создавая в полупроводнике избыток свободных электронов, называются донорами. Обычно донорами для германия являются мышьяк и сурьма, а для кремния – фосфор и сурьма. В полупроводнике с донорными примесями электроны являются основными носителями зарядов, а дырки – не основными.

Проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике избыточных свободных электронов, называется электронной проводимостью. Полупроводник, в котором основными носителями зарядов являются электроны, называется электронным полупроводником или полупроводником n- типа. Для получения полупроводника с дырочной электропроводностью в кристалл чистого германия вводят примеси трехвалентных элементов: индий (In) и галлий (Ga) для германия; бор (В) и алюминий (Al) для кремния.

При этом три валентных электрона, например индия, образуют три парноэлектронные связи с соседними атомами германия. В результате теплового движения электрон одного из соседних атомов германия может перейти в незаполненную связь атома индия. В атоме германия появится одна незаполненная связь – дырка (рис.

3). Захваченный атомом индия, четвертый электрон образует парноэлектронную связь и прочно удерживается атомом индия. Атом индия становится при этом неподвижным отрицательным ионом.

Примеси, атомы которых захватывают и прочно удерживают электроны атомов полупроводника, называются акцепторными или акцепторами. Проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике избытка подвижных дырок, т. е.

превышением их концентрации над концентрацией электронов, называется дырочной проводимостью .

Скачать
Курсовая Физика 06.07.2009

Физические основы работы светоизлучающих диодов

Введение. 3 1. Технические параметры СИД. 5 2. Физические основы работы СИД. 6 3. Расчет технических параметров СИД. 22 Заключение 24 Список литературы 25 Введение Необходимость дальнейшего освоения оптического диапазона и перенесение на него хорошо развитых

Реферат Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование полупроводниковых приборов

Учебное пособие содержит лабораторные работы, выполняемые студентами при изучении курсов Физические основы электроники , Промышленная электроника , Преобразовательная техника и других курсов с близкими названиями. Оно предназначено для студентов всех

Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Реферат Технологии 25.01.2002

Физические основы микроэлектроники

поэтому такие приборы называют диодами Ганна. В отечественной литературе их называют также приборами с объемной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, поскольку активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из центральной

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Последние запросы


Рынок ценных бумаг Японии теория морали в современной россии русская письмо и его революция Физическое развитие детей дошкольного возраста фгос функционирование звуков языка в тексте 12 пара черепно-мозговое нерв области иннервации кости мозгового черепа теплопроводност в быту установка передних колес автомобиля мибд Теория и методика занятий избранным видом спорта автоматизация бизнеса легкая изменения в жизни общества на примере поколения родителей реабилитация пантер бгюхлндеиярбхе лсгшйюкэмнцн х хгнапюгхрекэмнцн хяйсяярб йюй нрпюфемхе рбнпвеяйху онхяйнб йнлонгхрнпнб х усднфмхйнб уголовно-исполнительные инспекции 4 Провалы государства и возможность их исправления Методика преподавания математики тест методика преподавания математики введите название реферата4 Провалы государства и возможность их исправления

Облако тегов