Физические основы полупроводниковых приборов

  • Добавили06.07.2009
  • Размер426,93 Kб
  • Скачали214

Через полупроводник протекает ток, который равен сумме токов электронного In и дырочного Ip, т. е. I = In + Ip.

(1. 1) Ток, протекающий в полупроводнике при равновесной концентрации носителей зарядов (электронов и дырок), называется дрейфовым током или током проводимости. Плотность дрейфового тока определяет удельную электропроводность полупроводников σ.

Так, для германия удельная электропроводность σGe = 2 ∙ 10-2 Ом-1 ∙ см-1, а для кремния σSi = 4 ∙ 10-6 Ом-1 ∙ см-1, т. е. σGe >> σSi.

С повышением температуры удельная электропроводность увеличивается по экспоненциальному закону. Полупроводник без примесей называют собственным полупроводником или полупроводником і- типа. Он обладает собственной электропроводностью, которая, как было показано, складывается из электронной и дырочной электропроводности.

Если в полупроводнике имеются примеси других веществ, то дополнительно к собственной электропроводности появляется еще примесная электропроводность, которая в зависимости от рода примеси может быть электронной или дырочной. Для получения полупроводника с электронной электропроводностью в чистый полупроводник – германий или кремний – вводят небольшое количество элемента пятой группы периодической системы элементов: сурьмы (Sb), мышьяка (As), фосфора (P). Их атомы взаимодействуют с атомами германия только четырьмя своими электронами (рис.

2) образуя прочные парноэлектронные связи с четырьмя соседними атомами германия. Пятый валентный электрон, например атома мышьяка, в образовании парноэлектронной связи не участвует. Поэтому он оказывается слабо связанным со своим атомом и может быть легко оторван от него.

В результате он превращается в свободный электрон, который может свободно перемещаться в объеме полупроводника,.

Скачать
Курсовая Физика 06.07.2009

Физические основы работы светоизлучающих диодов

Введение. 3 1. Технические параметры СИД. 5 2. Физические основы работы СИД. 6 3. Расчет технических параметров СИД. 22 Заключение 24 Список литературы 25 Введение Необходимость дальнейшего освоения оптического диапазона и перенесение на него хорошо развитых

Реферат Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование полупроводниковых приборов

Учебное пособие содержит лабораторные работы, выполняемые студентами при изучении курсов Физические основы электроники , Промышленная электроника , Преобразовательная техника и других курсов с близкими названиями. Оно предназначено для студентов всех

Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Реферат Технологии 25.01.2002

Физические основы микроэлектроники

поэтому такие приборы называют диодами Ганна. В отечественной литературе их называют также приборами с объемной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, поскольку активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из центральной

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Последние запросы

Облако тегов