Физические основы полупроводниковых приборов

  • Добавили06.07.2009
  • Размер426,93 Kб
  • Скачали214

Все твердые вещества по своим электрическим свойствам разделяют на проводники, полупроводники и диэлектрики. Полупроводники занимают по электропроводности промежуточное положение между металлами (проводниками электрического тока) и диэлектриками. Удельное электрическое сопротивление проводников составляет ρ = 10-4 Ом ∙ см, полупроводников – ρ = 10-4 – 1010 Ом ∙ см, диэлектриков – ρ = 1010 Ом ∙ см и выше.

Для изготовления полупроводниковых приборов в настоящее время используют помимо германия и кремния некоторые химические соединения, например арсенид галлия, окись титана, антимонид индия, фосфид индия и др. Наиболее широко применяют кремний и германий. Германий и кремний – элементы четвертой группы периодической системы Д.

И. Менделеева, т. е.

являются четырехвалентными элементами. В валентной зоне каждого атома германия и кремния имеется по четыре валентных электрона. Германий и кремний имеют атомные кристаллические решетки.

Связь между атомами в таких решетках парноэлектронная или ковалентная. Каждый атом в них связан с соседним двумя электронами – по одному от каждого атома. Схематическое изображение кристалла германия на плоскости показано на рис.

1. Каждый атом в монокристалле германия окружен четырьмя соседними атомами, с которыми он связан парноэлектронными связями. В результате валентная оболочка каждого атома имеет восемь электронов, т.

е. оказывается полностью заполненной. В таком кристалле все валентные электроны связаны между собой прочными парноэлектронными связями.

Свободных электронов, которые могли бы участвовать в переносе зарядов, нет. Чистые полупроводники при нуле абсолютной температуры (Т = 0ºК) являются идеальными диэлектриками.

Скачать
Курсовая Физика 06.07.2009

Физические основы работы светоизлучающих диодов

Введение. 3 1. Технические параметры СИД. 5 2. Физические основы работы СИД. 6 3. Расчет технических параметров СИД. 22 Заключение 24 Список литературы 25 Введение Необходимость дальнейшего освоения оптического диапазона и перенесение на него хорошо развитых

Реферат Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование полупроводниковых приборов

Учебное пособие содержит лабораторные работы, выполняемые студентами при изучении курсов Физические основы электроники , Промышленная электроника , Преобразовательная техника и других курсов с близкими названиями. Оно предназначено для студентов всех

Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Реферат Технологии 25.01.2002

Физические основы микроэлектроники

поэтому такие приборы называют диодами Ганна. В отечественной литературе их называют также приборами с объемной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, поскольку активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из центральной

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов