Резисторы

  • Добавили29.06.2009
  • Размер3929,52 Kб
  • Скачали97

Тогда получается смешанная – пленочно-дискретная ИС, которую называют гибридной. Гибридная ИС (или ГИС) – это микросхема, которая представляет собой комбинацию пленочных пассивных элементов и дискретных активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Дискретные компоненты, входящие в состав гибридной ИС, называют навесными, подчеркивая этим их обособленность от основного технологи¬ческого цикла получения пленочной части схемы.

Помимо диодов и транзисторов, навесными компонентами могут быть и полупроводниковые ИС, т. е. компоненты повышенной функциональной сложности.

Еще один тип «смешанных» ИС, в которых сочетаются полупроводниковые и пленочные интегральные элементы, называют совмещенными. Рис. 5.

Структура гибридной ИС: 1– резистор; 2– полоска металлизации; 3– навесной бескорпусный транзистор. Совмещенная ИС – это микросхема, у которой активные элементы выполнены в приповерхностном слое полупроводникового, кристалла (как у полупроводниковой ИС), а пассивные нанесены в виде пленок на предварительно изолированную поверхность того же кристалла (как у пленочной ИС). Совмещенные ИС выгодны тогда, когда необходимы высокие но¬миналы и высокая стабильность сопротивлений и емкостей; эти требования легче обеспечить с помощью пленочных элементов, чем с помощью полупроводниковых.

Во всех типах ИС межсоединения элементов осуществляются с помощью тонких металлических полосок, напыленных или нанесенных на поверхность подложки и в нужных местах, контактирующих с соединяемыми элементами. Процесс нанесения этих соединительных полосок называют металлизацией, а сам «рисунок» межсоединений – металлической разводкой. Толстопленочные ГИС (обозначим их ТсГИС) изготавливаются весьма просто, на первый взгляд – примитивно.

Скачать
Реферат Электроника и схемотехника 11.06.2010

Резисторы

3 Общие сведенья 4 Классификация резисторов 5 Устройство и принцип действия 6 Виды резисторов 6 Терморезисторы… 6 Фоторезисторы……… 6 Варисторы………… 7 Интегральный резистор 7 Непроволочные постоянные резисторы 7 Непроволочные переменные резисторы 7 Материалы

Курсовая Радиоэлектроника 03.07.2009

Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология

«Толстопленочные Интегральные Микросхемы общие сведения, резисторы, полупроводники, топология» Минск, 2008 1. Общие Сведения Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).

Реферат Радиоэлектроника 30.06.2009

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета» Минск, 2008 1. Конденсаторы В качестве конденсаторов, т. е. пассивных элементов полупро¬водниковых ИМС, предназначенных для использования их .емкос¬ти,

Курсовая Радиоэлектроника 29.06.2009

Резисторы

Резистором называется пассивный элемент РЭА, предна¬значенный для создания в электрической цепи требуемой величины сопротивления, обеспечивающей перераспределение и регулирование электрической энергии между элементами схемы. Выпускаемые отечественной

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов