Резисторы

  • Добавили29.06.2009
  • Размер3929,52 Kб
  • Скачали97

на кристалле как можно больше элементов с минимальной площадью. Минимальную площадь имеют активные элементы – транзисторы и диоды, а максимальную – пассивные. Следовательно, оптимальная ИС – это ИС, у которой сведены к минимуму количество и номиналы резисторов и, особенно, конденсаторов.

Четвертая особенность ИС связана с тем, что смежные элементы расположены друг от друга на расстоянии всего 50 – 100 мкм. На таких малых расстояниях различие электрофизических свойств материала маловероятно, а следовательно, маловероятен и значительный разброс параметров у смежных элементов. Иначе говоря, параметры смежных элементов взаимосвязаны – коррелированны Эта корреляция сохраняется к при изменении температуры: у смежных элементов температурные коэффициенты параметров практически одинаковы.

Корреляция между параметрами смежных элементов используется при проектировании некоторых ИС с целью снизить влияние разброса параметров и изменений температуры. 1. Исходные данные для проектирования.

Схемотехнические параметры. На рисунке 1 изображена электрическая схема варианта № 29. Рис.

1 Электрическая схема варианта 1. 2 Конструктивно – технологические данные и ограничения. Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, изображены на рисунке 2.

Расшифровка рисунка приведена в таблице 1. Рис. 2 Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах.

Таблица 1 Конструктивно-технологические данные и ограничения. Минимально допустимые размеры Мкм Ширина линии скрайбирования слоя 60 Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края слоя металлизации или до края диффузионной области 50 .

Скачать
Реферат Электроника и схемотехника 11.06.2010

Резисторы

3 Общие сведенья 4 Классификация резисторов 5 Устройство и принцип действия 6 Виды резисторов 6 Терморезисторы… 6 Фоторезисторы……… 6 Варисторы………… 7 Интегральный резистор 7 Непроволочные постоянные резисторы 7 Непроволочные переменные резисторы 7 Материалы

Курсовая Радиоэлектроника 03.07.2009

Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология

«Толстопленочные Интегральные Микросхемы общие сведения, резисторы, полупроводники, топология» Минск, 2008 1. Общие Сведения Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).

Реферат Радиоэлектроника 30.06.2009

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета» Минск, 2008 1. Конденсаторы В качестве конденсаторов, т. е. пассивных элементов полупро¬водниковых ИМС, предназначенных для использования их .емкос¬ти,

Курсовая Радиоэлектроника 29.06.2009

Резисторы

Резистором называется пассивный элемент РЭА, предна¬значенный для создания в электрической цепи требуемой величины сопротивления, обеспечивающей перераспределение и регулирование электрической энергии между элементами схемы. Выпускаемые отечественной

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов