Разработка интегральных микросхем

  • Добавили26.06.2009
  • Размер749,33 Kб
  • Скачали635

транзистору. [1, стр. 24-25].

Необходимо отметить, что материал используемый для изготовления интегральной микросхемы должен определятся параметрами зависящими от свойств материала, а именно: оптических, термических, термоэлектрических, зонной структуры, ширины запрещённой зоны, положения в ней примесных уровней и т. д. Немаловажное значение играют электрические свойства полупроводникового материала: тип электропроводности, концентрация носителей заряда и их подвижность, удельное сопротивление, время жизни неосновных носителей заряда и их диффузионная длина.

К основным требованиям, которым должны удовлетворять все материалы, используемые в производстве интегральных МС, относятся: 1. стойкость к химическому воздействию окружающей среды; 2. монокристаллическая структура; 3.

однородность распределения; 4. устойчивость к химическим реагентам; 5. механическая прочность, термостойкость; 6.

устойчивость к старению и долговечность. Важным фактором, который должен учитываться при определении возможности применения какого-либо материала или технологического процесса производства ИМС, является его совместимость с другими применяемыми материалами [1, стр. 24,25, 27].

Приведем параметры некоторых проводящих материалов и параметры некоторых полупроводниковых материалов. Таблица 2. 1 - Физические и электрические параметры проводящих материалов[6] Величина Перечень материалов Алюминий Золото Медь Никель Олово Свинец Серебро Плотность, 103кг/м3 2,7 19.

3 8. 9 8,9 7,3 11,4 10. 5 Удельная теплоемкость, кДж/(кг*К) 0,92 0,13 0,38 0,5 0,25 0,13 0,25 Температура плавления, ºС 660 1064 1083 1455 232 327 960 Удельная теплота плавления, кДж/кг 380 66,6 175 - 58 25 87 .

Скачать
Диплом Радиоэлектроника 10.01.1999

Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного...

Доклад Целью настоящей дипломной работы являлась разработка устройства, предназначенного для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа. В настоящее время на рынке практически отсутствуют устройства такого

Курсовая Компьютеры и цифровые устройства 15.06.2010

Разработка Post Card PCI

Компьютер на современном этапе развития техники применяется почти везде в медицине, для точной диагностики с малым процентом ошибки, в производстве, для быстрого проектирования, анализа, моделирования и непосредственно при изготовлении детали, в сельском

Курсовая Радиоэлектроника 03.07.2009

Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология

«Толстопленочные Интегральные Микросхемы общие сведения, резисторы, полупроводники, топология» Минск, 2008 1. Общие Сведения Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).

Реферат Радиоэлектроника 29.06.2009

Разработка тестопригодной схемы МПС на базе МП I8080

1. Расчетно-проектировочный раздел 1.1 Назначение проектируемого устройства и выбор области его применения 1.2 Описание элементной базы 1.3 Разработка структурной схемы проектируемого устройства 1.4 Разработка принципиальной схемы устройства 1.5 Разработка

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов