Разработка интегральных микросхем

  • Добавили26.06.2009
  • Размер749,33 Kб
  • Скачали635

Iпр. ср. А 5 Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи Iпр.

и. А - Максимально допустимое постоянное обратное напряжение Uобр max В 100 Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе Uпр ср В 1. 5 Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод Iпр.

ср А 5 Постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением Iобр мА 3 Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения Tвос. обр мкс - Максимально допустимая частота: наибольшая частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода fmax кГц 1. 1 Выбор и обоснование конструктивных и технологических матриалов Для изготовления полупроводниковых интегральных схем используют в большинстве случаев пластины монокристаллического кремния p- или n- типа проводимости, снабженными эпитаксиальными и так называемыми “скрытыми” слоями.

В качестве легирующих примесей, с помощью которых изменяют проводимость исходного материала пластины, применяют соединения бора, сурьмы, фосфора, алюминия, галлия, индия, мышьяка, золота. Для создания межсоединений и контактных площадок используют алюминий и золото. Применяемые материалы должны обладать очень высокой чистотой: содержание примесей в большинстве материалов, используемых при изготовлении полупроводниковых микросхем, не должно превышать 10-5 10-9 частей основного материала.

Изменяя определенным образом концентрацию примесей в различных частях монокристаллической полупроводниковой пластины, можно получить многослойную структуру, воспроизводящую заданную электрическую функцию и до известной степени эквивалентную обычному дискретному резистору, конденсатору, диоду или .

Скачать
Диплом Радиоэлектроника 10.01.1999

Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного...

Доклад Целью настоящей дипломной работы являлась разработка устройства, предназначенного для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа. В настоящее время на рынке практически отсутствуют устройства такого

Курсовая Компьютеры и цифровые устройства 15.06.2010

Разработка Post Card PCI

Компьютер на современном этапе развития техники применяется почти везде в медицине, для точной диагностики с малым процентом ошибки, в производстве, для быстрого проектирования, анализа, моделирования и непосредственно при изготовлении детали, в сельском

Курсовая Радиоэлектроника 03.07.2009

Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология

«Толстопленочные Интегральные Микросхемы общие сведения, резисторы, полупроводники, топология» Минск, 2008 1. Общие Сведения Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).

Реферат Радиоэлектроника 29.06.2009

Разработка тестопригодной схемы МПС на базе МП I8080

1. Расчетно-проектировочный раздел 1.1 Назначение проектируемого устройства и выбор области его применения 1.2 Описание элементной базы 1.3 Разработка структурной схемы проектируемого устройства 1.4 Разработка принципиальной схемы устройства 1.5 Разработка

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов