Разработка интегральных микросхем

  • Добавили26.06.2009
  • Размер749,33 Kб
  • Скачали637

тока коллектора к постоянному току базы h21э - 40…120 Продолжение табл. 1. 2 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером: частота, на которой h21э транзистора (включенного по схеме с общим эмиттером) равен единицы fгр кГц 1 Постоянный обратный ток коллектора Iкбо мкА 1 Постоянный обратный ток коллектор – эмиттер при определенном сопротивлении в цепи база - эмиттер Постоянный обратный ток коллектора - эмиттера Iкэо мкА 1 Напряжение коллектор - база Uкб В 3 Ток коллектора Iк мА 0.

6 Ток перехода коллектор - эмитттер Iкэо мкА 50 Выходная полная проводимость H22э мкСм 5 Емкость коллекторного перехода. При увеличении обратного напряжения емкость уменьшается Ск пф 20 Температура p-n перехода Тп ◦С <80 Таблица 1. 3 - Параметры диода Д303[4, стр.

473,474,476] Параметр Обозначение Единица измерения Данные о параметрах Средний прямой ток: среднее за период значение тока через диод Iпр. ср. А 3 Импульсный прямой ток: наибольшее мгновенное значение прямого тока, исключая повторяющиеся и неповторяющиеся переходные токи Iпр.

и. А - Максимально допустимое постоянное обратное напряжение Uобр max В 150 Среднее прямое напряжение: среднее за период значение прямого напряжения при заданном среднем прямом токе Uпр ср В 0. 3 Средний прямой ток: среднее за период значение прямого тока через диод Iпр.

ср А 3 Постоянный обратный ток, обусловленный постоянным обратным напряжением Iобр мА 1 Время обратного восстановления: время переключения диода с заданного прямого тока на заданное обратное напряжение от момента прохождения тока через нулевое значение до момента достижения обратным током заданного значения Tвос. обр мкс - Максимально допустимая частота: наибольшая частота подводимого напряжения и импульсов тока, при которых обеспечивается надежная работа диода fmax кГц 5 Таблица 1. 4 - Параметры диода Д242Б [4, стр.

473,474,476] Параметр Обозначение Единица измерения Данные о параметрах Средний прямой ток: среднее за период значение тока через диод .

Скачать
Диплом Радиоэлектроника 10.01.1999

Разработка для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного...

Доклад Целью настоящей дипломной работы являлась разработка устройства, предназначенного для контроля и определения типа логических интегральных микросхем методом сигнатурного анализа. В настоящее время на рынке практически отсутствуют устройства такого

Курсовая Компьютеры и цифровые устройства 15.06.2010

Разработка Post Card PCI

Компьютер на современном этапе развития техники применяется почти везде в медицине, для точной диагностики с малым процентом ошибки, в производстве, для быстрого проектирования, анализа, моделирования и непосредственно при изготовлении детали, в сельском

Курсовая Радиоэлектроника 03.07.2009

Толстопленочные интегральные микросхемы: общие сведения, резисторы, полупроводники, топология

«Толстопленочные Интегральные Микросхемы общие сведения, резисторы, полупроводники, топология» Минск, 2008 1. Общие Сведения Толстопленочными называются интегральные микросхемы с толщиной пленок 10—70 мкм, изготавливаемые методами трафаретной печати (сеткография).

Реферат Радиоэлектроника 29.06.2009

Разработка тестопригодной схемы МПС на базе МП I8080

1. Расчетно-проектировочный раздел 1.1 Назначение проектируемого устройства и выбор области его применения 1.2 Описание элементной базы 1.3 Разработка структурной схемы проектируемого устройства 1.4 Разработка принципиальной схемы устройства 1.5 Разработка

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов