Проектирование сложных логических структур на МДП-транзисторах

  • Добавили25.06.2009
  • Размер1879,42 Kб
  • Скачали29

При этом практически весь ток базы проходит в цепь эмиттера, а напряжение Uк (МЭТ) на коллекторе составляет доли вольта. Если же на всех входах элемента высокий потенциал (X1=X2=1), то Uэ>Uб; эмиттерный переход закрыт и ток базы (МЭТ) переключается в цепь коллектора (напряжение на котором составляет около 2 В). Повторяя структуру диодно-транзисторных ИМС, транзисторно-транзисторные ИМС (рис.

2) позволили значительно увеличить быстродействие (до 20 МГц), повысить уровень помехоустойчивости (Uп=0,7 В), снизить потребляемую мощность. Выходные усилители TTL-микросхем с симметричным транзисторным выходом обеспечивают высокую нагрузочную способность базовой схемы (n=10) при значительных емкостях нагрузки (Сн=100 пФ). При проектировании аппаратуры на TTL-микросхемах необходимо учитывать, что их выходные каскады в динамическом режиме потребляют мощность в 2…3 раза больше, чем в статическом режиме.

Это объясняется появлением значительных импульсных токов на фронтах сигналов. Одним из наиболее важных достижений в технологии изготовления TTL-ИМС явилось применение диодов Шотки, включение которых между базой и коллектором транзисторов позволило резко повысить быстродействие за счет устранения режима насыщения транзисторов. Обычно структуру диода Шотки со связанными с ним коллектором и базой транзистора называют транзистором Шотки.

Она практически полностью повторяет конфигурацию TTL-вентиля, но имеет в 2…3 раза большее быстродействие. Дальнейшее совершенствование схемотехники TTL с диодами Шотки привело к созданию модификации диодно-транзисторных маломощных ИМС с транзисторами Шотки и логическими диодами Шотки на входе. Схема такого элемента И-НЕ, получила название маломощного TTL-элемента с транзисторами Шотки.

Ее особенность состоит в том, что за счет применения быстродействующих диодов Шотки с малым падением напряжения на переходе в открытом состоянии входные многоэмиттерные транзисторы традиционных TTL-ИМС заменены диодными вентильными сборками, что позволило уменьшить площадь вентиля на кристалле при сохранении высокого быстродействия.

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 25.01.2002

Микропроцессоры Intel 80386

в МП 80386 фирмы Intel МП вышел на рынок с уникальным преимуществом. Он является первым 32 - разрядным МП, для которого пригодно существующее прикладное программное обеспечение стоимостью 6,5 млрд. долл., написанное для МП предыдущих моделей ОТ 808688 до 80286 клон IBM PC.

Реферат Прочее 28.11.2007

Проектирование логической структуры базы данных АБИС

Введение 3 1. Общие Сведения ОБ Управлении Проектами 5 2.1 Концептуальная фаза 8 2.2 Разработка технического предложения 8 2.3 Проектирование 9 2.4 Разработка 9 2.5 Ввод системы в эксплуатацию 9 3. Общие Вопросы Проектирования Состава БАЗ Данных 10 4.

Курсовая Экономика 28.04.2010

Проектирование организационно-технических мероприятий роста производительности труда

4 1 Теоретические основы разработки организационного проекта системы повышения производительности труда 6 1.1 Теоретические положение организационного проектирования производственных систем - 1.2 Сущность и содержание управления производительности труда

Курсовая Менеджмент 03.12.2008

Совершенствование организационной структуры системы управления предприятием

… 5 1.Теоретические основы разработки организационной структуры системы управления предприятием….6 1.1 Сущность и понятие организационной структуры ….6 1.2 Методы проектирования организационной структуры управления предприятием….12 1.3 Классификация организационных структур….

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов