Проектирование КР1095 ПП1

  • Добавили25.06.2009
  • Размер1186,9 Kб
  • Скачали45

краев металлизации затвора и границ диффузионных слоев истока и стока. Существенного уменьшения емкости перекрытия Сзи и Сзс можно добиться при использовании технологии с самосовмещенным затвором. Основная идея такой технологии заключается в изменении порядка формирования электродов МДП – транзистора: вначале образуется затвор, после чего формируются области стока и истока.

При этом затвор используется в качестве маски, что приводит к совпадению границ диффузионных областей с краями затвора. В результате перекрытие затвора и порождаемые им емкости существенно уменьшаются. Наиболее совершенной технологией с самосовмещенным затвором в настоящее время является технология КМДП ИС с кремниевым затвором.

Технологический процесс изготовления КМДП ИС с кремниевым затвором его и его основные этапы представлены на рис. 3. В этом процессе формирование больших областей («карманов») p типа такое же, как и в технологическом процессе КМДП ИС с алюминиевым затвором, т.

е. для этого в подложку через фоторезистивную маску, создаваемую фотолитографическим способом, внедряется методом ионной имплантации легирующая примесь, в данном случае бор (рис. а).

После получения «кармана» p типа на пластину наносится тонкий слой SiO2, который выполняет роль подзатворного диэлектрика МДП – транзисторов двух типов проводимости (рис. б). Следующий этап – на слой SiO2 методом химического распыления наносится слой поликристаллического кремния.

После этого осуществляется фотолитографическое травление, в процессе которого в местах, где должны формироваться области стоков и истоков, стравливается слой поликристаллического кремния, а также слой, лежащий над ним – SiO2. в результате такого травления получается структура, изображенная на рис. в.

Скачать
Реферат 10.02.2010

Проектирование цифрового фильтра

Содержание 1. Проектирование цифрового фильтра. 1.1. Исходные данные. 1.2. Определение номиналов элементов фильтра. 1.3. Синтез цифрового аналога. 2. Проэктирование цифрового фильтра. 2.1. Общие сведения. 2.2. Графический редактор принципиальных схем PC-CAPS.

Реферат 10.02.2010

Проектирование цифрового фильтра

Содержание 1. Проектирование цифрового фильтра. 1.1. Исходные данные. 1.2. Определение номиналов элементов фильтра. 1.3. Синтез цифрового аналога. 2. Проэктирование цифрового фильтра. 2.1. Общие сведения. 2.2. Графический редактор принципиальных схем PC-CAPS.

Реферат 25.01.2002

Монокристаллический кремний

Основной объем монокристаллическогокремния 80-90 потребляемого электронной промышленно-стью,выращиваеться по методу Чохральского.Фактическивесь кремний,используемый для произво-дстваинтегральных схем,производиться этим методом.Кристаллы выращенные этим

Реферат 23.12.1998

Исследование работы реверсивных счетчиков

Лабораторная Работа З Исследование Реверсивного Счетчика 1. ЦЕЛЬ Работы Целью работы является - теоретическое изучение принципа работы счетчиков и регистров - экспериментальное исследование счетчика-регистра на интегральных микросхемах. 2. Основные Теоретические

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов