Проектирование КР1095 ПП1

  • Добавили25.06.2009
  • Размер1186,9 Kб
  • Скачали45

происходит интенсивнее в тех местах, где более густая сеть границ зерен, т. е. в местах с более мелкой структурой.

Поэтому в этих местах имеется повышенная вероятность возникновения пустот, объединение их с образованием сквозных трещин. Изменение ориентации зерен также способствует изменению скорости переноса вещества и образованию пустот и трещин. Это может иметь место при изменении структуры или состава подложки, на которую нанесена металлическая пленка.

В алюминиевых пленках на монокристаллическом кремнии обнаруживается тенденция к образованию структуры, близкой к монокристаллической, в то время как на двуокиси кремния образуется более разупорядочная пленка, близкая к аморфной. На границах таких областей с большей вероятностью образуются трещины. Подобная же ситуация создается на ступеньки окисла.

При этом следует заметить, здесь действуют два процесса, способствующих образованию разрыва токоведущей дорожки. Первый из них обусловлен изменением ориентации зерен на плоской поверхности проводящей пленки, второй процесс связан с уменьшением поперечного сечения проводящей пленки на ступеньке окисла. Последнее вызывает возрастание плотности тока и скорости переноса вещества.

[6] Однако, несмотря на то, что использованию процессов электромиграции посвящено большое количество работ, до настоящего времени приемлемой теоретической модели процесса создать пока не удалось. Явление электропереноса вещества в тонких металлических пленках наблюдается при прохождении постоянного или пульсирующего тока. Ускорению электродиффузии способствуют дефекты металлической пленки в виде царапин, посторонних включений, сужения металлических дорожек, неравномерности по толщине пленки.

Все эти факторы создают градиенты плотности тока и температуры, вследствие чего и ускоряется электродиффузия, конечным результатом которой является отказ прибора из-за разрыва металлизации.

Скачать
Реферат 10.02.2010

Проектирование цифрового фильтра

Содержание 1. Проектирование цифрового фильтра. 1.1. Исходные данные. 1.2. Определение номиналов элементов фильтра. 1.3. Синтез цифрового аналога. 2. Проэктирование цифрового фильтра. 2.1. Общие сведения. 2.2. Графический редактор принципиальных схем PC-CAPS.

Реферат 10.02.2010

Проектирование цифрового фильтра

Содержание 1. Проектирование цифрового фильтра. 1.1. Исходные данные. 1.2. Определение номиналов элементов фильтра. 1.3. Синтез цифрового аналога. 2. Проэктирование цифрового фильтра. 2.1. Общие сведения. 2.2. Графический редактор принципиальных схем PC-CAPS.

Реферат 25.01.2002

Монокристаллический кремний

Основной объем монокристаллическогокремния 80-90 потребляемого электронной промышленно-стью,выращиваеться по методу Чохральского.Фактическивесь кремний,используемый для произво-дстваинтегральных схем,производиться этим методом.Кристаллы выращенные этим

Реферат 23.12.1998

Исследование работы реверсивных счетчиков

Лабораторная Работа З Исследование Реверсивного Счетчика 1. ЦЕЛЬ Работы Целью работы является - теоретическое изучение принципа работы счетчиков и регистров - экспериментальное исследование счетчика-регистра на интегральных микросхемах. 2. Основные Теоретические

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов