Принципы построения и действия ПЗС

  • Добавили25.06.2009
  • Размер102,49 Kб
  • Скачали108

Следовательно, величина зарядового пакета под первым затвором Ф1, пропорциональная поверхностному потенциалу под входным затвором, будет изменяться приблизительно линейно при изменении амплитуды входного сигнала. Для вывода зарядового пакета на выходе используют устройство ( рис. 8, а), содержащее область 1 n+ - типа проводимости, омический контакт 2 к этой области и выходной затвор Фвых .

Область 1 образует с подложкой выходной диод, который смещают в обратном направлении. Для этого на выходной контакт через резистор подают постоянное положительное напряжение, превышающее максимальное напряжение на Фвых. В некоторый момент времени на выходной затвор подают импульс положительной полярности, разрешающий вывод зарядового пакета.

Если в последнем элементе Ф3 к этому моменту времени был накоплен зарядовый пакет, то он переместиться в потенциальную яму, расположенную под выходным затвором ( рис. 8,б) , а затем в более глубокую потенциальную яму области n+- типа и, наконец, в выходную цепь - резистор, присоединенный к n+ - области. К выходному выводу подключают чувствительный усилитель на МДП - транзисторах, которые создаются на этой же подложке.

В ряде случаев необходимо осуществлять неразрушение считывание зарядового пакета. Для этого в качестве датчика поверхностного потенциала и связанной с ним величины зарядового пакета используют МПД - транзистор. ЛИТЕРАТУРА 1.

Рычина Т. А. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы Мн: Радио, 2005г.

2. Ефимов А. В, Микроэлектроника, Мн: ВШ, 2004г.

3. Свитенко В. И.

Электрорадиоэлементы, Мн: Радио, 2006г.

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 25.03.2003

История развития криоэлектроники

3 2. Часть 1 Исторические аспекты криоэлектроники 4 3. Часть 2 Основные направления криоэлектроники 7 4. Часть 3 Микроэлектроника и холод 13 Перспективы применения структур на основе контак- тов сверхпроводников с полупроводниками в криоген- ной микроэлектронике

Реферат Экономико-математическое моделирование 20.06.2006

Корреляционные системы технического зрения

1. Корреляционные системы технического зрения 1.1. Классификация корреляционных систем технического зрения Корреляционные СТЗ используют корреляционно-экстремальный метод обработки зрительной информации и по сути представляют собой разновидность корреляционно-экстремальных систем КЭС 1.1 - 1.5.

Реферат Коммуникации и связь 19.08.2008

Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и систем. Задачей дисциплины “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” является подготовка студентов к

Диплом Социология 03.09.2007

Планирование семьи

3 Глава I. Теоретико-методологические основы изучения практики социальной работы в области планирования семьи .8 1.1.История планирования семьи 8 1.2.Технологии, методы и методики планирования семьи 15 1.3.Анализ концептуальной схемы службы планирования семьи 25 Глава II.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов