Принципы построения и действия ПЗС

  • Добавили25.06.2009
  • Размер102,49 Kб
  • Скачали108

ямы. На затворах шины Ф1 сохраняется напряжение низкого уровня. Для нормальной работы ПЗС расстояние между соседними затворами должно быть достаточно малым, чтобы потенциальные ямы соседних элементов, на затворы которых подано напряжение U’3, сливались в единую потенциальную яму без барьера посередине для момента времени t3 >t >t2.

Рис. 4 Перенос зарядочных пакетов становится возможным благодаря краевому эффекту. Он состоит в том, что размеры потенциальной ямы в плоскости пластины ( в направлении переноса зарядных пакетов) превышают размеры затвора, т.

е. потенциальная яма образуется не только под затвором, но и некотором расстоянии от его краев. Размеры областей за границами затвора, в которых формируется потенциальная яма, увеличиваются с ростом напряжения на затворе.

Только при достаточно больших напряжениях на соседних затворах и малых расстояниях между ними потенциальные ямы под соседними затворами перекрываются, образуя единую потенциальную яму. Поскольку при t = t2 ( см. рис.

6) в третьем элементе электронов нет, а во втором накоплен зарядовый пакет Qn2, то согласно зависимостям, показанным на рис. 3 при одинаковых напряжениях на затворах U32 =U 33 =U’3 поверхностный потенциал под затвором 3 будет значительно выше, чем под затвором 2. В результате влияния зарядового пакета Qn2 при одинаковых напряжениях на затворах 2 и 3 в общей потенциальной яме возникает продольное электрическое поле, ускоряющее электроны в сторону третьего элемента.

В гидродинамической модели ПЗС процессу переноса зарядового пакета соответствует перетекание жидкости в пределах общего сосуда. После повышения напряжения в затворе 3 формируется общий сосуд, расположенный под двумя затворами и в промежутке между ними. Жидкость в этом сосуде при t > t2 распределена неравномерно и начинает перетекать под затвор 3.

По мере выравнивания уровней жидкости под затворами 2 и 3 скорость .

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 25.03.2003

История развития криоэлектроники

3 2. Часть 1 Исторические аспекты криоэлектроники 4 3. Часть 2 Основные направления криоэлектроники 7 4. Часть 3 Микроэлектроника и холод 13 Перспективы применения структур на основе контак- тов сверхпроводников с полупроводниками в криоген- ной микроэлектронике

Реферат Экономико-математическое моделирование 20.06.2006

Корреляционные системы технического зрения

1. Корреляционные системы технического зрения 1.1. Классификация корреляционных систем технического зрения Корреляционные СТЗ используют корреляционно-экстремальный метод обработки зрительной информации и по сути представляют собой разновидность корреляционно-экстремальных систем КЭС 1.1 - 1.5.

Реферат Коммуникации и связь 19.08.2008

Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и систем. Задачей дисциплины “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” является подготовка студентов к

Диплом Социология 03.09.2007

Планирование семьи

3 Глава I. Теоретико-методологические основы изучения практики социальной работы в области планирования семьи .8 1.1.История планирования семьи 8 1.2.Технологии, методы и методики планирования семьи 15 1.3.Анализ концептуальной схемы службы планирования семьи 25 Глава II.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов