Принципы построения и действия ПЗС

  • Добавили25.06.2009
  • Размер102,49 Kб
  • Скачали108

Sз – площадь затвора. Для работы ПЗС существенна зависимость поверхностного потенциала от величины зарядового пакета при заданном напряжении затвора (рис. 3).

Эта зависимость приблизительно линейная: фпов= -Qn/Cд. При постоянном значении Qn поверхностный потенциал возрастает при увеличении напряжении затвора также приблизительно по линейному закону. Приведенные зависимости позволяют наглядно проиллюстрировать работу ПЗС с помощью гидродинамической модели (рис.

4, а-в). В этой модели потенциальная яма отождествляется с сосудом, зарядовый пакет Qn- с жидкостью, заполняющей этот сосуд, поверхностный потенциал, т. е.

глубина потенциальной ямы с расстоянием h от поверхности жидкости, заполняющий этот сосуд, др верхнего края сосуда . В такой модели между объемом жидкости в сосуде и глубиной h (Qn) его незаполненной части существует линейная зависимость вида, а глубина пустого сосуда h(0) увеличивается пропорционально напряжению затвора. Эта модель используется для пояснения процесса переноса зарядного пакета.

Рассмотрим процесс переноса зарядного процесса в ПЗС с трехактной схемой управления. Временные диаграммы управляющих импульсов для этого случая приведены на рис. 5.

Пусть в момент времени t1 на затворах, присоединенных к ширине Ф2 , напряжение высокого уровня U’3>Uпор и под вторым и пятым затворами накоплены зарядовые пакеты Qn2 и Qn5 (рис. 6), а на затворах, присоединенных к шинам Ф1 и Ф3 – напряжение низкого уровня и под соответствующими затворами нет потенциальных ям и зарядовых пакетов. В момент времени t2 на затворы,соединенные с шиной Ф3 поступает напряжение высокого уровня и под ними практически мгновенно формируются пустые потенциальные .

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 25.03.2003

История развития криоэлектроники

3 2. Часть 1 Исторические аспекты криоэлектроники 4 3. Часть 2 Основные направления криоэлектроники 7 4. Часть 3 Микроэлектроника и холод 13 Перспективы применения структур на основе контак- тов сверхпроводников с полупроводниками в криоген- ной микроэлектронике

Реферат Экономико-математическое моделирование 20.06.2006

Корреляционные системы технического зрения

1. Корреляционные системы технического зрения 1.1. Классификация корреляционных систем технического зрения Корреляционные СТЗ используют корреляционно-экстремальный метод обработки зрительной информации и по сути представляют собой разновидность корреляционно-экстремальных систем КЭС 1.1 - 1.5.

Реферат Коммуникации и связь 19.08.2008

Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и систем. Задачей дисциплины “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” является подготовка студентов к

Диплом Социология 03.09.2007

Планирование семьи

3 Глава I. Теоретико-методологические основы изучения практики социальной работы в области планирования семьи .8 1.1.История планирования семьи 8 1.2.Технологии, методы и методики планирования семьи 15 1.3.Анализ концептуальной схемы службы планирования семьи 25 Глава II.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов