Приборы полупроводниковые

  • Добавили24.06.2009
  • Размер21,62 Kб
  • Скачали103

на использовании зависимости емкости от обратного напряжения и который предназначен для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью. Параметрический полупроводниковый диод (Параметрический диод, Halbleitervaraktordiode, Semiconductor parametric diode) – варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях. Полупроводниковый стабилитрон (Стабилитрон, Ндп.

Зенеровский диод, Kalbleiter-Z-Diode, Voltage reference diode) – полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения. Полупроводниковый шумовой диод (Halbleiterrauschdiode, Semiconductor noise diode) – полупроводниковый прибор являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот. Биполярный транзистор (Транзистор, Bipolarer Transistor, Bipolar transistor) – полупроводниковый прибор с двумя взаимодействуюшими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание. Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей. Бездрейфовый транзистор (Ндп.

Диффузионный транзистор, Diffusionstransistor, Diffusion transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством диффузии. Дрейфовый транзистор (Drifttransistor, Drif (diffased) transistor) – биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базовую область осуществляется в основном посредством дрейфа. Точечный транзистор (Ндп.

Точечно-контактный триод,.

Скачать
Реферат Физика 09.09.2009

Признаки классификации полупроводниковых приборов

По каким признакам классифицируются полупроводниковые приборы? Полупроводниковые приборы классифицируют в зависимости от механизма работы и функционального назначения. По принципу действия полупроводниковые приборы делятся на следующие основные виды диоды, тиристоры, стабилитроны, транзисторы.

Реферат Коммуникации и связь 19.08.2008

Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и систем. Задачей дисциплины “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” является подготовка студентов к

Шпаргалка Электроника и схемотехника 04.02.2010

Полупроводниковые приборы и электронные лампы

Полупропроводниковые приборы и электронные лампы ученика 10 Б класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -2- ПЛАН Стр. 1. ДИОД Полупроводниковый 3 2. Электронная Лампа 4 3. Транзистор 6 4. Тиристор 7 -3- ДИОД Полупроводниковый Полупроводниковый

Реферат Технологии 25.06.2008

многослойный п/п прибор

1. Параметры И Характеристики Полупровдниковых Приборов 1.1 Идеализированные статические вольтамперные характеристики транзисторов 1.2 Реальные статические вольтамперные характеристики транзисторов 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов