Приборы полупроводниковые

  • Добавили24.06.2009
  • Размер21,62 Kб
  • Скачали103

Физические элементы полупроводниковых приборов Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом). Электронно-дырочный переход (p n переход, pn Ubergang, P N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n типа, а другая p типа. Электронно-электронный переход (n n+ переход, n n+ Ubergang, N N+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Дырочно-дырочный переход (p p+ переход, p p+ Ubergang, P P+ junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости. Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.

Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда. Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.

Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда. Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.

Скачать
Реферат Физика 09.09.2009

Признаки классификации полупроводниковых приборов

По каким признакам классифицируются полупроводниковые приборы? Полупроводниковые приборы классифицируют в зависимости от механизма работы и функционального назначения. По принципу действия полупроводниковые приборы делятся на следующие основные виды диоды, тиристоры, стабилитроны, транзисторы.

Реферат Коммуникации и связь 19.08.2008

Электронны, квантовые приборы и микроэлектроника

Электронные, квантовые приборы и микроэлектронные изделия являются основой практически всех радиоэлектронных и коммуникационных устройств и систем. Задачей дисциплины “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника” является подготовка студентов к

Шпаргалка Электроника и схемотехника 04.02.2010

Полупроводниковые приборы и электронные лампы

Полупропроводниковые приборы и электронные лампы ученика 10 Б класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -2- ПЛАН Стр. 1. ДИОД Полупроводниковый 3 2. Электронная Лампа 4 3. Транзистор 6 4. Тиристор 7 -3- ДИОД Полупроводниковый Полупроводниковый

Реферат Технологии 25.06.2008

многослойный п/п прибор

1. Параметры И Характеристики Полупровдниковых Приборов 1.1 Идеализированные статические вольтамперные характеристики транзисторов 1.2 Реальные статические вольтамперные характеристики транзисторов 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов