Поняття про мікроелектроніку

  • Добавили24.06.2009
  • Размер111,44 Kб
  • Скачали45

(транзистор) вирощений. Найпростіший шлях до цього є застосування потрійної дифузії при виготовленні npn-транзистора на p-провідній кремнієвій підкладці. Першим вирощується n-шар, який служитиме колектором (рис.

4). Потім послідовно вирощують p-провідну базову область та n+ -провідну область емітера. При експлуатації до підкладки треба прикласти від'ємний відносно до колектора потенціал, щоб на межі підкладки і колектора утворився непровідний запірний шар, який забезпечує їх електричну ізоляцію.

Однак, транзистори, виготовлені методом потрійної дифузії, мають певні недоліки. В структурі, зображеній на рис. 4, колекторний n-шар, який формується на етапі першої дифузії, виявляється неоднорідним: концентрація домішок зростає від донної області до поверхні.

Тому на границі з базовим шаром концентрація домішку буде дуже великою і пробивна напруга колекторного переходу буде порівняно низькою. До того ж, процес потрійної дифузії складний і довготривалий. Тому зараз застосовують звичайно дещо інший шлях виготовлення транзистора.

Спочатку на поверхню p-провідної підкладки з газової фази нарощується так званий епітаксіальний монокристалічний шар n-провідного кремнію товщиною 10-15 мкм, кристалічна структура якого є продовженням кристалічної структури підкладки (рис. 5а). Тим самим створюється р–n перехід, котрий надалі ізолюватиме транзистор від підкладки.

Далі описаним вище методом дифузії, по периметру майбутнього транзистора у епітаксіальному шарі створюється р -область, яка повинна "прорости" через цей шар і зімкнутися з р-провідною підкладкою (рис. 5б). В результаті утворюється "острівець" з n-провідністю, оточений з усіх боків p-провідним кремнієм.

В цьому острівку, який називають кишенею, відомим вже способом вирощують біполярний й npn-транзистор (рис. 5в). Далі потрібно потурбуватися лише про те, щоб потенціал підкладки завжди був негативнішим відносно потенціалу колектора будь-якого з транзисторів інтегральної мікросхеми.

Таким же шляхом – виміщенням у кишені – ізолюються і пасивні елементи ІМС. У інтегральних схемах на .

Скачать
Курсовая Менеджмент 12.12.2008

Управління знаннями як інструмент створення і використання нових знань в організації

Управління знаннями як інструмент створення і використання нових знань в організації. ПЛАН Вступ 3 РОЗДІЛ 1. Теоретична Частина 5 1.1. Поняття управління знаннями 5 1.2. Технології управління знаннями 10 1.3. Розробка систем управління знаннями 13 1.4.

Курсовая Радиоэлектроника 02.07.2009

Тенденції розвитку інформаційного суспільства: міжнародні та українські особливості

Тенденції розвитку інформаційного суспільства міжнародні та українські особливості Київ-2007 План Вступ 1. Парадигма побудови інформаційного суспільства. Концепції основних понять. Особливі риси та ознаки інформаційного суспільства та їх аналіз. Інформаційні

Курсовая Международные отношения 23.03.2009

Світова організація торгівлі. Форми передачі технології

Зміст 1. Світова організація торгівлі, її роль у МЕВ. 2. Форми передачі технології. 3. Особливості функціонування офшорних зон. 4. Південний спільний ринок (Меркосур). 5. Проблеми розвитку зовнішньоекономічної діяльності України. Список використаних джерел.

Реферат Информатика 09.06.2009

Виконання операцій множення і ділення у двійковій системі числення

Реферат на тему ”Виконання ОперацІЙ Множення І ДІЛення В ДВІЙКОВІЙ СистемІ ЧИСЛення ” Виконання ОперацІЙ Множення І ДІЛення В ДВІЙКОВІЙ СистемІ ЧИСЛення 1. ЗагальнІ ВІДомостІ ПРО ОперацІЮ Множення У програмах розв язання різних задач операції множення

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов