Полупроводниковые диоды

  • Добавили24.06.2009
  • Размер596,25 Kб
  • Скачали2702

Uпр = 1…2В); • максимально допустимый прямой ток Iпр мах диода; • максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр мах, при котором диод еще может нормально работать длительное время; • постоянный обратной ток Iобр, протекающий через диод при обратном напряжении, равном Uобр мах; • средний выпрямленный ток Iвп. ср, который может длительно проходить через диод при допустимой температуре его нагрева; • максимально допустимая мощность Pмах, рассеиваемая диодом, при которой обеспечивается заданная надежность диода. По максимально допустимому значению среднего выпрямленного тока диоды делятся на маломощные (Iвп.

ср  0,3А), средней мощности (0,3А  Iвп. ср  10А) и большой мощности (Iвп. ср  10А).

Для сохранения работоспособности германиевого диода его температура не должна превышать +85С. Кремниевые диоды могут работать при температуре до +150С. Рисунок 3.

3 – Изменение вольт - амперной характеристики полупроводникового диода от температуры: а − для германиевого диода; б − для кремниевого диода Падение напряжения при пропускании прямого тока у германиевых диодов составляет Uпр = 0,3…0,6В, у кремниевых диодов − Uпр = 0,8…1,2В. Большие падения напряжения при прохождении прямого тока через кремниевые диоды по сравнению с прямым падение напряжения на германиевых диодах связаны с большей высотой потенциального барьера р-n- переходов, сформированных в кремнии. С увеличением температуры прямое падение напряжения уменьшается, что связано с уменьшением высоты потенциального барьера.

При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток, обусловленный движением не основных носителей заряда через .

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды

Полупроводниковые Нелинейные Элементы Полупроводниковые Диоды» Диоды - полупроводниковые приборы, которые пропускают ток в одном направлении, а в обратном имеют большое сопротивление. Рис. 1. Принцип работы р-n перехода а) диффузионный и дрейфовый токи

Курсовая Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые диоды

Содержание Полупроводниковые Диоды 2 Некоторые Положения И Определения Электронной Теории Твердого ТЕЛА 2 Электронно-Дырочный Переход 11 Вольтамперная Характеристика П-Р ПереходА 16 Диоды. Основные Свойства 19 Полупроводниковые Диоды Некоторые Положения

Реферат Радиоэлектроника 29.01.1999

Полупроводниковые диоды

На основеиспользования свойств р-n-перехода в настоящеевремя создано множество различных типов полупроводниковыхдиодов. Выпрямительные диодыпредназначены для преобразования пе-ременного тока в постоянный.Их основные параметры I а max - б м л ап в V а

Шпаргалка Электроника и схемотехника 04.02.2010

Полупроводниковые приборы и электронные лампы

Полупропроводниковые приборы и электронные лампы ученика 10 Б класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -2- ПЛАН Стр. 1. ДИОД Полупроводниковый 3 2. Электронная Лампа 4 3. Транзистор 6 4. Тиристор 7 -3- ДИОД Полупроводниковый Полупроводниковый

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов