Полупроводниковые материалы

  • Добавили24.06.2009
  • Размер1626,16 Kб
  • Скачали403

"Полупроводниковые материалы" Харьков 2007 Содержание Введение 1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1. 1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.

2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике 1. 3 Температурная зависимость подвижности носителей заряда 2. Полупроводниковые материалы Si и Ge 2.

1 Основные сведения о кристаллическом строении 2. 2 Получение и выращивание монокристаллов 2. 3 Метод Чохральского и метод зонной плавки 2.

4 Основные физико-химические и электрофизические свойства 2. 5 Осаждение эпитаксиальных слоев кремния 2. 6 Применение в полупроводниковых приборах и ИС 3.

Методы контроля параметров полупроводниковых материалов: проводимости, концентрации, подвижности, ширины запрещенной зоны 3. 1 Проводимость полупроводников 1. 1 Преимущества и недостатки методов исследования проводимости полупроводников 3.

2 Определение подвижности 2. 1 Факторы, определяющие подвижность 3. 3 Концентрация собственных носителей Вывод Список использованной литературы Введение Современный научно-технический прогресс неразрывно связан с разработкой и освоением новых материалов, в частности полупроводниковых.

Именно материалы стали ключевым звеном, определяющим успех многих инженерных решений при создании сложнейшей электронной аппаратуры. Практика постоянно предъявляет все более жестокие и разнообразные требования к свойствам и сочетанию свойств у материалов, поэтому растет их количество и номенклатура. В настоящее время число наименований материалов, применяемых в электронной технике для различных целей, составляет несколько тысяч, значительную часть которых составляют полупроводниковые материалы.

К полупроводникам относится большое количество веществ с электронной электропроводностью, удельное сопротивление которых при нормальной температуре находится между значениями удельного сопротивления проводников и диэлектриков. Основной особенностью полупроводников является их способность изменять свои свойства под влиянием различных внешних воздействий (изменение температуры и освещения, приложение электрического .

Скачать
Реферат Металлургия 06.06.2007

Полупроводниковые материалы в металлургии

Содержание 1.Общие сведения 3 2.Металлургия германия и кремния 7 3.Применение полупроводников 3.1.Тепловые сопротивления (термисторы) 9 3.2.Фотосопротивления 11 3.3.Термоэлементы 12 3.4.Холодильники и нагреватели 12 Литература 15 1.Общие сведения Полупроводниками

Реферат Радиоэлектроника 24.06.2009

Приборы полупроводниковые

Физические элементы полупроводниковых приборов Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями

Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Курсовая Химия 18.05.2009

Синтез нанокристаллических полупроводниковых частиц

1. Введение 2 2. Литературный обзор 3 2.1. Твердофазный синтез в стекле 3 2.2. Осаждение из растворов 3 2.3. Гидротермальный метод. 4 2.4. Метод Movpe. 4 3. Экспериментальная часть 5 3.1. Исходные вещества. 5 3.2. Синтез нанокристаллических PbS в растворе поливинилового спирта.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов