Полупроводниковые диоды

  • Добавили24.06.2009
  • Размер209,97 Kб
  • Скачали450

называют основными носителями заряда, а дырки – неосновными. Примеси, обеспечивающие получение электронной проводимости, называют донорными. Введение в четырехвалентный полупроводник трехвалентного элемента, например галлия (рисунок 1.

2, в), приводит, наоборот, к незавершенности ковалентных связей кристаллической решетки, которые воссоздаются за счет электронов соседних атомов, что соответствует образованию дырки. Образовавшиеся дырки могут перемещаться по кристаллу, создавая дырочную проводимость. В энергетической модели уровни валентных электронов трехвалентных атомов примеси (индия, галлия, алюминия и др.

) расположены в непосредственной близости от зоны валентных электронов собственного полупроводника (рисунок 1. 1, в, W  0,05 эВ). В cвязи c этим электроны валентной зоны легко переходят на примесный уровень («захватываются» трехвалентными атомами примеси).

Следовательно, в валентной зоне появляется большое число дырок, что обусловливает повышение проводимости полупроводника, которая при такой примеси будет дырочной. Полупроводники, электропроводность которых обусловливается в основном движением дырок, называются полупроводниками с дырочной проводимостью или сокращенно полупроводниками типа р (р типа), примеси – акцепторными. Для того чтобы примесная проводимость преобладала над собственной, концентрация атомов донорной или акцепторной примеси должна превышать концентрацию собственных носителей заряда.

Практически при изготовления примесных полупроводников концентрация примесей значительно (не менее чем на три порядка) больше концентрации собственных носителей. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход (р-п переход), представляющий собой переходный слой между двумя областями полупроводника,.

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые диоды

ТЕМА 3. Полупроводниковые Диоды Полупроводниковый диод – это электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами, в котором используются свойства р-n- перехода. Полупроводниковые диоды классифицируются 1)

Реферат Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды

Полупроводниковые Нелинейные Элементы Полупроводниковые Диоды» Диоды - полупроводниковые приборы, которые пропускают ток в одном направлении, а в обратном имеют большое сопротивление. Рис. 1. Принцип работы р-n перехода а) диффузионный и дрейфовый токи

Реферат Радиоэлектроника 29.01.1999

Полупроводниковые диоды

На основеиспользования свойств р-n-перехода в настоящеевремя создано множество различных типов полупроводниковыхдиодов. Выпрямительные диодыпредназначены для преобразования пе-ременного тока в постоянный.Их основные параметры I а max - б м л ап в V а

Шпаргалка Электроника и схемотехника 04.02.2010

Полупроводниковые приборы и электронные лампы

Полупропроводниковые приборы и электронные лампы ученика 10 Б класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -2- ПЛАН Стр. 1. ДИОД Полупроводниковый 3 2. Электронная Лампа 4 3. Транзистор 6 4. Тиристор 7 -3- ДИОД Полупроводниковый Полупроводниковый

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов