Полупроводниковые диоды

  • Добавили24.06.2009
  • Размер209,97 Kб
  • Скачали450

Такой энергетический промежуток принято называть запрещенной зоной. Она характеризуется шириной (W), которая равна разности между нижним уровнем энергии зоны проводимости и верхним уровнем энергии валентной зоны. Запрещенная зона соответствуют таким значениям энергии, которыми электрон не может обладать.

Уровни энергии, занятые электронами при температуре абсолютного нуля и отсутствии внешних воздействий, образуют в твердом теле так называемую нормальную, или валентную, зону. Разрешенные уровни энергии, которые остаются не занятыми при температуре абсолютного нуля, составляют в твердом теле свободную зону. Ее нижнюю часть называют зоной проводимости, поскольку уровни, входящие в нее, могут занимать свободные электроны, получившие дополнительную энергию при нагреве или другим путем и оторвавшиеся от атомов.

На рисунке 1. 1, а схематически показаны энергетические зоны характеризующие полупроводник. По вертикальной оси этой диаграммы откладывается уровень энергии, которой обладают электроны.

Горизонтальная ось – безразмерная, поэтому необходимо помнить, что понятие энергетический уровень или энергетическая зона характеризует только энергетическое состояние электрона, а не его геометрическое расположение в теле. Рисунок 1. Энергетические зоны полупроводника: а – чистого, б – п-типа, в – р-типа Шириной запрещенной зоны определяется электропроводность материала.

Следовательно, проводимость того или иного вещества определяется той энергией, которую нужно сообщить валентным электронам, чтобы они могли перейти со своего нормального энергетического уровня на высший энергетический уровень, соответствующий зоне проводимости. При этом электроны теряют связь с ядром атома и становятся свободными и могут участвовать в формировании электрического тока при приложении внешнего источника напряжения.

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые диоды

ТЕМА 3. Полупроводниковые Диоды Полупроводниковый диод – это электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами, в котором используются свойства р-n- перехода. Полупроводниковые диоды классифицируются 1)

Реферат Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды

Полупроводниковые Нелинейные Элементы Полупроводниковые Диоды» Диоды - полупроводниковые приборы, которые пропускают ток в одном направлении, а в обратном имеют большое сопротивление. Рис. 1. Принцип работы р-n перехода а) диффузионный и дрейфовый токи

Реферат Радиоэлектроника 29.01.1999

Полупроводниковые диоды

На основеиспользования свойств р-n-перехода в настоящеевремя создано множество различных типов полупроводниковыхдиодов. Выпрямительные диодыпредназначены для преобразования пе-ременного тока в постоянный.Их основные параметры I а max - б м л ап в V а

Шпаргалка Электроника и схемотехника 04.02.2010

Полупроводниковые приборы и электронные лампы

Полупропроводниковые приборы и электронные лампы ученика 10 Б класса средней школы № 536 Капустникова Вячеслава -2- ПЛАН Стр. 1. ДИОД Полупроводниковый 3 2. Электронная Лампа 4 3. Транзистор 6 4. Тиристор 7 -3- ДИОД Полупроводниковый Полупроводниковый

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов