Методы разделения пластин и подложек

  • Добавили18.06.2009
  • Размер907,43 Kб
  • Скачали110

Пластину помещают проскрайбированной поверхностью на упругую опору и прокатывают последовательно в двух взаимно перпендикулярных направлениях твердым валиком диаметром 10 – 30 мм. Усилие нагружения подбирается в зависимости от жесткости опоры. Меньший диаметр валика и более жесткие опоры используются при меньших отношениях длины кристалла к толщине пластины (1/Н).

Рисунок 3. Схема пневмогидравлической ломки полупроводниковых пластин М сферических (цилиндрических) опорах: а) - исходное положение; б) - положение после разламывания. При больших значениях параметров отношения 1/Н вместо валика применяют клин с небольшим радиусом скругления, который последовательно ориентируют по линиям скрайбирования полупроводниковой пластины (Рисунок 5).

Усилие нагружения при разламывании клином должно быть программируемым. Рисунок 4. Разламывание пластины валиком.

Рисунок 5. Схема разламывания клином. Резка подложек.

В настоящее время для подложек тонкоплёночных схем используемая керамика с высоким содержанием окиси алюминия, является слишком твёрдой для обычного скрайбирования и разламывания. Для резки керамических подложек применяется распиливание алмазным диском, которое состоит из четырёх основных этапов: закрепление и ориентация подложки, распиливание, демонтаж и очистка. Закрепление и ориентация.

Подложки закрепляются на металлических брусках, поддерживающих подложки в результате распиливания. Для этого они приклеиваются к брускам с помощью гликольфталата при нагреве. Для совмещения подложка помещается точно по отношению к ограничителю на бруске и потенциальная линия реза настраивается параллельно прямоугольным краям бруска.

Затем брусок с наклеенной подложкой монтируется на магнитном зажимном устройстве установки для резания, В бруске делаются продольные канавки, что позволяет вести резку подложки насквозь, не задевая алмазным .

Скачать
Диплом Физика 16.07.2004

Методы выращивания тонких полупроводниковых пленок

2 1. Методы выращивания тонких пленок. 1.1. Вакуумное испарение. 4 1.2. Эпитаксиальное выращивание. 9 1.3. Перекристаллизация. 14 1.4. Термическое вакуумное напыление. 18 1.5. Катодное и ионно-плазменное напыление. 21 1.6. Анодирование. 25 1.7. Электрохимическое осаждение.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

Реферат Физика 15.09.2009

Современные проблемы квантовой физики

2. Концепция Z. 2.1. Водород - топливо XXI века. 2.2. Солнечно-водородная энергетика. 2.3. Фотокатализ и фотосенсибилизация. 2.4. Биофотолиз воды. 2.5. Искусственные фотокаталитические системы разложения воды. 3. Основные принципы работы солнечных батарей.

Реферат Физика 06.07.2009

Фотолитография

5. I информация о заводе. 6. «Преобразователь. 7. Вывод. Условные обозначения ФШ – фотошаблон. ФЛ – фотолитография. ФР – фоторезистор. Задание на проект Цель работы изучить суть процесса литографии. Объект изучения пластины кремния. Вывод в процессе изучения

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов