Методы разделения пластин и подложек

  • Добавили18.06.2009
  • Размер907,43 Kб
  • Скачали110

зависит от состояния рабочей части алмазного резца. Работа резцов с изношенным режущим ребром или вершиной приводит к сколам при скрайбировании и некачественной ломке. Обычно скрайбирование выполняют резцами, изготовленными из натурального алмаза, которые по сравнению с более дешёвыми резцами из синтетических алмазов имеют большую стойкость.

Наибольшее распространение получили резцы, имеющие режущую часть в форме трёхгранной или усеченной четырёхгранной пирамиды, режущими элементами которой являются ребра пирамиды. Средняя стойкость резца (одного режущего ребра) при скрайбировании кремния составляет 25-40 пластин диаметром 100 мм (3500 резов). После скрайбирования 25 - 40 пластин или при появлений сколов на пластине резец необходимо проконтролировать под микроскопом.

Как показывает опыт, применять резцы с износом режущего ребра более 10-15 мкм нецелесообразно, так как они не обеспечивают качественного скрайбирования. Кроме того, при чрезмерном износе вершин режущего ребра их восстановление при переточке резца затруднено, к быстрому износу резца приводит скрайбирование пластин с покрытием из окисла кремния или ионного диэлектрика. На таких пластинах необходимо предусматривать специальную (без покрытия) дорожку полупроводникового материала шириной 50 - 75 мкм.

Широкое применение нацию также лазерное скрайбирование полупроводниковых пластин, при котором надрез (риска) образуется не механическим, а электрофизическим способом - путём испарения узкой полосы полупроводникового материала с поверхности пластины с помощью сфокусированного лазерного пучка, имеющего большую мощность излучения. Скрайбирование лучом лазера имеет большое преимущество перед скрайбированием алмазным резцом: на рабочей поверхности пластины не происходит образования микротрещин и сколов вследствие отсутствия механического .

Скачать
Диплом Физика 16.07.2004

Методы выращивания тонких полупроводниковых пленок

2 1. Методы выращивания тонких пленок. 1.1. Вакуумное испарение. 4 1.2. Эпитаксиальное выращивание. 9 1.3. Перекристаллизация. 14 1.4. Термическое вакуумное напыление. 18 1.5. Катодное и ионно-плазменное напыление. 21 1.6. Анодирование. 25 1.7. Электрохимическое осаждение.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

Реферат Физика 15.09.2009

Современные проблемы квантовой физики

2. Концепция Z. 2.1. Водород - топливо XXI века. 2.2. Солнечно-водородная энергетика. 2.3. Фотокатализ и фотосенсибилизация. 2.4. Биофотолиз воды. 2.5. Искусственные фотокаталитические системы разложения воды. 3. Основные принципы работы солнечных батарей.

Реферат Физика 06.07.2009

Фотолитография

5. I информация о заводе. 6. «Преобразователь. 7. Вывод. Условные обозначения ФШ – фотошаблон. ФЛ – фотолитография. ФР – фоторезистор. Задание на проект Цель работы изучить суть процесса литографии. Объект изучения пластины кремния. Вывод в процессе изучения

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов