Методы разделения пластин и подложек

  • Добавили18.06.2009
  • Размер907,43 Kб
  • Скачали110

вибрации станка и режущего инструмента. Другой путь увеличения жесткости - это применение более толсто основы ДАР, однако при этом получается большая ширина пропила, также увеличиваются потери полупроводникового материала. Жесткость инструмента может быть увеличена также за счет уменьшения разности внешнего диаметра ДАР и прижимных фланцев или прокладок.

Установлено, что ДАР будет обладать большей жесткостью, если режущая кромка выступает за края прокладок не более чем на 1,5 толщины разрезаемого материала. Современный ДАР (рисунок 2) представляет собой алюминиевый корпус, на котором электрохимическим методом осажден никель (в качестве связующего материала) с различными абразивными включениями (для разделения полупроводниковых пластин, например, используют мелкие зёрна алмаза размером 3-5 мкм), а затем с части корпуса никель удален хим1 ческйм травлением для вскрытия режущей Кромки. Рисунок 2.

Современный ДАР: 1 - прижимная прокладка; 2 - адгезионный материал; 3 - абразивный слой; 4 - алюминиевый корпус; b - толщина лезвия; h - высота лезвия; d - посадочный диаметр ДАР; p - внешний (рабочий) диаметр ДАР При резке пластин ДАР на скоростях вращения инструмента выше 6700 об/с вследствие интенсификации гидромеханических процессов возраста величина сколов в зоне реза. Проблема устранения этих явлений была решена в конструкции диска, где за счёт введения тонкого слоя алмазно-адгезионного материала между абразивным слоем режущей кромки опорным кольцом диска обеспечивается поглощение энергии колебаний стоячих волн в режущей кромке и обеспечивается более высокое качество юза. Усовершенствованным вариантом ДАР является конструкция, представляющая собой тончайшее лезвие в форме круга, основой которого является эластичный компаунд с равномерно распределенными в нём по объёму алмазными .

Скачать
Диплом Физика 16.07.2004

Методы выращивания тонких полупроводниковых пленок

2 1. Методы выращивания тонких пленок. 1.1. Вакуумное испарение. 4 1.2. Эпитаксиальное выращивание. 9 1.3. Перекристаллизация. 14 1.4. Термическое вакуумное напыление. 18 1.5. Катодное и ионно-плазменное напыление. 21 1.6. Анодирование. 25 1.7. Электрохимическое осаждение.

Курсовая Физика 25.01.2002

Полупроводниковые пластины

Современные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы представляют собой чрезвычайно сложные устройства, отдельные компоненты которых имеют размеры не более доли микрометра. Изготовление таких устройств осуществляется на монокристаллических

Реферат Физика 15.09.2009

Современные проблемы квантовой физики

2. Концепция Z. 2.1. Водород - топливо XXI века. 2.2. Солнечно-водородная энергетика. 2.3. Фотокатализ и фотосенсибилизация. 2.4. Биофотолиз воды. 2.5. Искусственные фотокаталитические системы разложения воды. 3. Основные принципы работы солнечных батарей.

Реферат Физика 06.07.2009

Фотолитография

5. I информация о заводе. 6. «Преобразователь. 7. Вывод. Условные обозначения ФШ – фотошаблон. ФЛ – фотолитография. ФР – фоторезистор. Задание на проект Цель работы изучить суть процесса литографии. Объект изучения пластины кремния. Вывод в процессе изучения

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов