Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1583,05 Kб
  • Скачали71

БТ может быть подключен своим стоком либо к источнику питания, либо к общему проводу. Во всех вариантах включения ВТ и БТ выполняется функция И с запретом (НЕ, И) с инверсией или без инверсии по выходу. На рис.

4 показаны четыре возможных варианта включения ВТ и БТ. В дальнейшем будем рассматривать логические схемы и устройства, работающие в положительной логике, так как ЛЭ отрицательной логики работают аналогично. На рис.

4, а показана схема ЛЭ, выполняющего функцию НЕ, И-НЕ, где в качестве ВТ использован транзистор n-типа, а в качестве БТ – транзистор р-типа, подключаемый к источнику +U. В схеме ЛЭ, выполняющего функцию НЕ, И (рис. 4, б), в качестве ВТ использован транзистор р-типа, а в качестве БТ — транзистор n-типа, подключаемый к общей шине.

Кратко проанализируем его работу. При сочетании сигналов =l, X2=1 будет открыт БТ и на выходе Y потенциал общей шины (Y=0). При сочетании сигналов =0, вновь открыт БТ и Y=0.

При сочетании сигналов , X2=0 открыт уже ВТ, но гак как , то на выходе Y будет потенциал общей шины (Y=0). Лишь при сочетании сигналов , X2=0 вентильный транзистор р-типа будет открыт и передаст на выход Y сигнал (Y=1). (Работу схем в,г предлагается рассмотреть самостоятельно).

Особенностью ЛЭ на КМДП с ВБ является то, что при закрытом ВТ выход элемента надежно подключается через открытый БТ либо к источнику питания U, либо к общей шине, что обеспечивает высокую помехоустойчивость рассматриваемых ИМС, как это имеет место у традиционных КМДП-ИМС. Большие функциональные возможности открываются при проектировании цифровых устройств при совместном применении ИМС на КМДП с ВБ, выполняющих функции НЕ, И и НЕ, И-НЕ с КМДП-ИМС, выполняющих функции И-НЕ и ИЛИ-НЕ. На рис.

Скачать
Реферат 23.12.1998

Транзисторы

Свойстваp n-пеpехода можно использовать для создания усилителя элек-тpическихколебаний, называемого полупpоводниковым тpиодом или тpанзисто-pом. Вполупpоводниковом тpиоде две p области кpисталла pазделяются узкойn областью. Такой тpиод условнообозначают p n p.

Реферат 25.01.2002

Транзисторы

Транзисторы.Свойства р n-перехода можно использовать для созданияусилителя электрических колебаний, называемого полупроводниковым триодомили транзистором.В полупроводниковом триоде две р-области кристалларазделяются узкой n-областью. Такой триод условно обозначают р n р.

Реферат 25.01.2002

Логические элементы

Исследование Логических Элементов1. Целью работы является - теоретическое изучение логических элементов, реализующихэлементарные функции алгебры логики ФАЛ - экспериментальное исследование логических элементов,построенных на отечественных микросхемах серии К155.2. Основные теоретические положения.

Реферат 25.01.2002

Микропроцессорные БИС

В настоящее время в различных отраслях науки итехники, народного хозяйства осваивается и широко внедряется новая элементнаябаза - микропроцессорные БИС Мпбис .Сфера применения Мпбиснеобычайно широка от сложных высокопроизводительных вычислительных систем допростейших машин и механизмов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов