Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1583,05 Kб
  • Скачали71

И-НЕ. В КМДП-схемах при любой комбинации входных сигналов выход никогда не бывает соединен одновременно с шиной питания и с землей; в этом случае напряжение на выходе было бы где-то посередине между низким и высоким уровнями (между 0 и 1) и не соответствовало бы ни одному из логических уровней, а выходная цепь потребляла бы чрезмерно большую мощность из-за малого сопротивления между шиной питания и землей. Поскольку в статическом состоянии транзисторы n- и р-типов не могут быть открыты одновременно, статическая мощность равна напряжению источника питания, умноженному на ток утечки закрытого прибора.

Эта мощность составляет 0, 1 1 мкВт/вентиль. Динамическая мощность КМДП-БИС значительно больше, но это имеет место лишь при перезарядке паразитных емкостей нагрузки во время действия фронта импульса. Динамическая мощность ИМС может быть определена как: где Сн – емкость нагрузки; fp – рабочая частота; U – напряжение источника питания; Для снижения динамической мощности необходимо уменьшать паразитные емкости затворов в составе БИС, то есть переходить на субмикронные размеры МДП-транзисторов.

Поскольку пороговое напряжение р-канального прибора Uop выше, чем у n-канального , напряжение питания должно быть выше Uop. В этом случае обеспечивается высокая помехоустойчивость ЛЭ и хорошее быстродействие. Типовые значения мощности, потребляемой в динамическом режиме отдельными КМД-ИМС при различных частотах, находятся в пределах: 50 .

100 мкВт/вентиль при fp=100 кГц; 200 . 400 мкВт/вентиль при fp=400 кГц; 500 1000 мкВт/вентиль при fp=l МГц; В составе БИС эти значения уменьшаются еще на один-два порядка. Указанные значения мощности в 5…1О раз ниже, чем у вентилей, выполненных на основе .

Скачать
Реферат 23.12.1998

Транзисторы

Свойстваp n-пеpехода можно использовать для создания усилителя элек-тpическихколебаний, называемого полупpоводниковым тpиодом или тpанзисто-pом. Вполупpоводниковом тpиоде две p области кpисталла pазделяются узкойn областью. Такой тpиод условнообозначают p n p.

Реферат 25.01.2002

Транзисторы

Транзисторы.Свойства р n-перехода можно использовать для созданияусилителя электрических колебаний, называемого полупроводниковым триодомили транзистором.В полупроводниковом триоде две р-области кристалларазделяются узкой n-областью. Такой триод условно обозначают р n р.

Реферат 25.01.2002

Логические элементы

Исследование Логических Элементов1. Целью работы является - теоретическое изучение логических элементов, реализующихэлементарные функции алгебры логики ФАЛ - экспериментальное исследование логических элементов,построенных на отечественных микросхемах серии К155.2. Основные теоретические положения.

Реферат 25.01.2002

Микропроцессорные БИС

В настоящее время в различных отраслях науки итехники, народного хозяйства осваивается и широко внедряется новая элементнаябаза - микропроцессорные БИС Мпбис .Сфера применения Мпбиснеобычайно широка от сложных высокопроизводительных вычислительных систем допростейших машин и механизмов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов