Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1583,05 Kб
  • Скачали71

ИЛИ-НЕ и И-НЕ положительной логики на KMДП. Рассмотрим подробнее работу элемента ИЛИ-НЕ. При поступлении на вход логической 1 (напряжение, близкое к +U) открывается транзистор n-типа, а связанный с ним по затвору транзистор р-типа запирается.

На выходе формируется уровень логического 0, близкий к потенциалу общей шины. Когда на входы и Х2 поданы одинаковые уровни логического 0, то оба транзистора n-типа запираются и отпираются оба транзистора р-типа, что приводит к формированию на выходе уровня логической 1, близкою к +U. Так как в состоянии Y=0 открыт транзистор n-типа, а в состоянии Y=l открыты транзисторы р-типа, то перезаряд емкости нагрузки всегда осуществляется через открытый МДП-транзистор.

Сравнивая схемы И-НЕ и ИЛИ-НЕ следует отметить их различные характеристики. При одной и той же площади кремниевого кристалла, транзистор с каналом n-типа имеет меньшее сопротивление в «открытом» состоянии, чем транзистор с каналом р-типа. Поэтому у последовательно включенных k транзисторов с n-каналом сопротивление в «открытом» состоянии меньше, чем у k транзисторов с р-каналом.

В результате быстродействие схемы И-НЕ с k входами обычно выше и предпочтительнее, чем у k-входовой схемы ИЛИ-НЕ, и поэтому схемы И-НЕ предпочтительнее. КМДП-схемы с числом входов больше двух можно очевидным способом получить путем последовательно-параллельного расширения схем, представленных на рис. 2.

В принципе можно создавать КМДП-схемы И-НЕ и ИЛИ-НЕ с очень большим числом входов. Однако на практике сопротивление последовательно включенных «открытых» транзисторов обычно ограничивает коэффициент объединения по входу (число входов, которые может иметь вентиль в конкретном логическом семействе) у КМДП-схем числом 4 для вентилей ИЛИ-НЕ, и числом 6 для вентилей .

Скачать
Реферат 23.12.1998

Транзисторы

Свойстваp n-пеpехода можно использовать для создания усилителя элек-тpическихколебаний, называемого полупpоводниковым тpиодом или тpанзисто-pом. Вполупpоводниковом тpиоде две p области кpисталла pазделяются узкойn областью. Такой тpиод условнообозначают p n p.

Реферат 25.01.2002

Транзисторы

Транзисторы.Свойства р n-перехода можно использовать для созданияусилителя электрических колебаний, называемого полупроводниковым триодомили транзистором.В полупроводниковом триоде две р-области кристалларазделяются узкой n-областью. Такой триод условно обозначают р n р.

Реферат 25.01.2002

Логические элементы

Исследование Логических Элементов1. Целью работы является - теоретическое изучение логических элементов, реализующихэлементарные функции алгебры логики ФАЛ - экспериментальное исследование логических элементов,построенных на отечественных микросхемах серии К155.2. Основные теоретические положения.

Реферат 25.01.2002

Микропроцессорные БИС

В настоящее время в различных отраслях науки итехники, народного хозяйства осваивается и широко внедряется новая элементнаябаза - микропроцессорные БИС Мпбис .Сфера применения Мпбиснеобычайно широка от сложных высокопроизводительных вычислительных систем допростейших машин и механизмов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов