Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

  • Добавили17.06.2009
  • Размер849,6 Kб
  • Скачали112

и технологической оснастке. Заряд этот может быть любого знака. Диоды VD1 и VD2 (см.

рис 3), подключенные к входной шине инвертора, позволяют положительному заряду стекать через диод VD1, а отрицательному - через диод VD2. При проектировании охранных диодов необходимо обеспечить высокое напряжение прибоя р-п переходов диодов (более 2Uи. п) и малые паразитные емкости.

Первое требование выполняется использованием в качестве одной из областей диода VD1 низколегированной подложки, а для диода VD2 - низколегированной р-области. Второе требование выполняют минимизацией площади р-п переходов. Недостатками рассмотренной схемы защиты и конструкций охранных диодов являются уменьшение входного сопротивления МДП-микросхемы и появление входного тока утечки, а также то, что при Uвх > Uи.

п. через входную цепь могут протекать большие токи, что приводит к разрушению диодов. Часто используют и более простые схемы защиты с одним охранным диодом (рис.

4). Охранные кольца. При наличии положительного встроенного заряда в толстом окисле и положительного потенциала на алюминиевых шинах разводки создаются условия для формирования паразитного индуцированного и-канала в приповерхностных участках кремния р-типа электропроводности с низким уровнем легирования.

Увеличение толщины диэлектрика hт. д. (рис.

1) над опасными участками не всегда возможно и не всегда гарантирует отсутствие паразитного канала. Рис. 4.

Конструкция n-канального транзистора с охранным диодом: l-подложка г-типа; 2, 7-алюминиевые шины; 3, 6-области истока и стока; 4-алюминиевый затвор; 5 - подзатворный окисел; 8 - контакт истока с подложкой; 9 - охранный диод; 10 - катод защитного диода; 11-толстый окисел. Рис. 5.

Охранные кольца в структуре инвертора с п - и р-ка-нальным транзисторами: l - область формирования .

Скачать
Курсовая Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Элементов КМДП-БИС» Минск, 2009 Из всех возможных схем инверторов схема на транзисторах с разными типами проводимости обладает выдающимися свойствами и с развитием конструктивно-технологических способов

Реферат Радиоэлектроника 22.06.2009

Основные этапы и направления развития элементной базы РЭС и устройств функциональной...

– комплексное использование ЭРЭ, БИС и СБИС, УФЭ и микропроцессорных комплектов. Развитие элементной базы определяется потребностями СМЭ и основано на достижениях физики, технологии и производства. Особенно быстро она стала развиваться с начала 60-х гг.

Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов