Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

  • Добавили17.06.2009
  • Размер849,6 Kб
  • Скачали112

При некотором напряжении на затворе, именуемом пороговым (Uo), между истоком и стоком образуется проводящая область - канал - с очень низким сопротивлением. Транзистор будет открыт. После этого ток стока принимает определенное значение при определенном напряжении на затворе.

Поскольку входной управляющий ток (в цепи затвора) ничтожно мал по сравнению с управляемым (в цепи исток - сток), получается значительное усиление мощности, гораздо большее, чем у биполярных транзисторов. МДП-транзистор является эффективным усилительным прибором. Электрическое сопротивление канала зависит от его длины и ширины, оно модулируется напряжением на затворе и3 и зависит от напряженности наведенного поля в полупроводнике, обратно пропорционально толщине диэлектрика и прямо пропорционально диэлектрической проницаемости диэлектрика.

Таким образом, для формирования индуцированного канала в n-канальном транзисторе на затвор необходимо подать положительное напряжение определенной величины, а в р-канальном - отрицательное. Транзисторы с индуцированным каналом работают только в режиме обогащения. Исток и сток в принципе обратимы, и их можно менять местами при включении транзистора в схему.

В этом случае при симметричной структуре транзистора (сток и исток могут различаться формой, размерами, площадью) его параметры сохраняются. Здесь целесообразно остановиться на нежелательном явлении возникновения индуцированных каналов в полупроводниковых структурах под действием положительного электрического заряда в окисле. Этот заряд возникает при формировании окисла на поверхности полупроводникового материала любого типа проводимости и обусловлен внедрением в него из окружающей атмосферы, материалов технологической оснастки и оборудования положительных ионов щелочных и щелочноземельных металлов.

Он получил название встроенный заряд. Расположение такого заряда над полупроводником р-типа электропроводности .

Скачать
Курсовая Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Элементов КМДП-БИС» Минск, 2009 Из всех возможных схем инверторов схема на транзисторах с разными типами проводимости обладает выдающимися свойствами и с развитием конструктивно-технологических способов

Реферат Радиоэлектроника 22.06.2009

Основные этапы и направления развития элементной базы РЭС и устройств функциональной...

– комплексное использование ЭРЭ, БИС и СБИС, УФЭ и микропроцессорных комплектов. Развитие элементной базы определяется потребностями СМЭ и основано на достижениях физики, технологии и производства. Особенно быстро она стала развиваться с начала 60-х гг.

Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов