Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

  • Добавили17.06.2009
  • Размер849,6 Kб
  • Скачали112

полупроводника с диэлектриком концентрация электронов снижается и проводимость канала уменьшается (режим обеднения) (рис. 2, а). В р-канальном МДП-транзисторе в зависимости от величины и полярности напряжения на затворе наблюдается обеднение (u3>0) или обогащение (u3<0) канала дырками (рис.

2, б). В МДП-транзисторе с индуцированным каналом (рис. 2, в) при нулевом напряжении на затворе канал отсутствует.

Рассмотрим качественно принцип действия транзистора с индуцированным каналом n-типа (рис. 2, в). Пусть транзистор включен так, что на подложку подается самый отрицательный потенциал, а на затвор 0.

В результате р-п переходы исток - подложка и сток - подложка будут смещены в обратном направлении. Ток через обратносмещенный р-n переход мал, что соответствует высокому сопротивлению между областями исток - сток. Рис.

2. Структуры и условные обозначения МДП-транзисторов: со встроенными п-(а) и р-каналом (б), с индуцированными л-(в) и р-каналом (г); И - исток; 3 - затвор; С - сток; П – подложка. И если к областям исток - сток подключить питание, ток носителей от истока к стоку будет ничтожно мал, т.

е. транзистор будет закрыт. Обратим внимание на то, что структура затвор - диэлектрик - полупроводник подобна конденсаторной структуре, и приложим к затвору положительный потенциал.

Под его действием в окисле и тонком приповерхностном слое проводника будет создано электрическое поле с напряженностью, пропорциональной напряжению на затворе и обратно пропорциональной толщине диэлектрика. Под действием этого поля электроны, имеющиеся в подложке, будут притягиваться к поверхности полупроводника, а дырки отталкиваться. Тем самым будет изменяться концентрация носителей в тонком приповерхностном слое (4 5 нм) полупроводника между областями исток - сток.

Вначале образуется слой, обедненный акцепторами, а затем, по мере роста положительного смещения на затворе, инверсионный слой электронов.

Скачать
Курсовая Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Элементов КМДП-БИС» Минск, 2009 Из всех возможных схем инверторов схема на транзисторах с разными типами проводимости обладает выдающимися свойствами и с развитием конструктивно-технологических способов

Реферат Радиоэлектроника 22.06.2009

Основные этапы и направления развития элементной базы РЭС и устройств функциональной...

– комплексное использование ЭРЭ, БИС и СБИС, УФЭ и микропроцессорных комплектов. Развитие элементной базы определяется потребностями СМЭ и основано на достижениях физики, технологии и производства. Особенно быстро она стала развиваться с начала 60-х гг.

Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Последние запросы


правила эвакуации Любительское художественное творчество в России XIX начала XX века Формы руководства им осознание эмоций Опасные и вредные производственные факторы их классификация Определение основных понятий травматизма несчастных случаев Общественный и государственный строй Древней Спарты Социологическое исследование по теме Процессы и операции формообразования ответственность за незаконную частную охранную деятельность Системы автоматизации афинская и спартанская пропаганда в период пелопоннесской войны родион щедрин эпидемии и человечество Развивающее обучение в системе подготовки по русскому и иностранным языкам учение гераклита утечка информации международный обмен студентами химия в моей профессии парикмахер методы определения чувствительности к антибиотикам Гуманизм в произведениях В Г Короленко Пути переподготовки и повышения квалификации государственных и муниципальных служащих

Облако тегов