Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1762,53 Kб
  • Скачали62

вытравливанием в исходной заготовке углубления V-образного сечения (рис. 9). V-МДП-транзистор получают на боковых стенках этого углубления.

Особо следует отметить, что n+-исток, расположенный под n+-стоком, вообще не требует для своего формирования дополнительной площади на поверхности пластины, что обусловливает высокую компактность V-МДП-структуры. Кроме этого, истоковая область n+-типа выполняет роль земляной шины и не требует, как это бывает в других конструктивно-технологических вариантах, дополнительной площади кристалла для заземляющих шин. Пирамидальная ямка вытравливается на такую глубину, чтобы она пересекла ионно-легированный слой n+-типа и эпитаксиальный слаболегированный р-слой, диффузионно-легированный n–-слой, достигнув вершиной высоколегированной подложки n+ - типа.

Сечение р-слоя служит основой для формирования канала. Этот слой имеет глубину менее 1 мкм, его сечение плоскостями V-образного углубления определяет длину V-МДП-транзистора. Ширина канала в V-МДП-транзисторе получается большой, так как этот канал расположен по всему периметру V-образного углубления.

Поскольку ширина канала определяет максимальный ток транзистора и его усиление, постольку V-МДП-транзисторы можно непосредственно сопрягать с системами, требующими больших управляющих токов, например со схемами, содержащими большое количество ТТЛ-нагрузок, светодиодными индикаторами и даже небольшими электродвигателями. Слой подзатворного диэлектрика формируется на поверхности V-образного углубления (рис. 10).

В качестве материала затвора применяют алюминий либо поликремний. Область объемного пространственного заряда выполняет в V-МДП-транзисторе ту же роль, что и обедненная область пространственного заряда в .

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Реферат 23.12.1998

Транзисторы

Свойстваp n-пеpехода можно использовать для создания усилителя элек-тpическихколебаний, называемого полупpоводниковым тpиодом или тpанзисто-pом. Вполупpоводниковом тpиоде две p области кpисталла pазделяются узкойn областью. Такой тpиод условнообозначают p n p.

Курсовая Радиоэлектроника 15.02.1999

МОП-транзисторы

1. Устройство полевого транзистора. 2. Схемы включения полевого транзистора. 3. Эквивалентная схема полевого транзистора. 4. Параметры полевого транзистора. 4.1. Частотные свойства. 4.2. Шумовые свойства. 4.3. Тепловые параметры. 4.4. Максимально допустимые параметры.

Реферат Цифровые устройства 21.09.2007

Логические элементы и их электронные аналоги

…. 3 Логический элемент И. … 5 Логический элемент ИЛИ. … 7 Логический элемент НЕ. …. 8 Логический элемент И-НЕ. …12 Логический элемент ИЛИ-НЕ. … 14 Литература. …. 17 Введение. Математической основой цифровой электроники и вычислительной техники является

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов