Конструктивно-технологические разновидности МДП-транзисторов

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1762,53 Kб
  • Скачали62

«КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РАЗНОВИДНОСТИ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ» МИНСК, 2008 Конструкции МДП-транзисторов в микросхемах с алюминиевой металлизацией. Вариант конструкции активного транзистора с прямоугольным каналом и со средним значением крутизны передаточной характеристики представлен на рис. 1.

Под алюминиевым затвором находится тонкий слой термически выращенного окисла кремния (0,05 0,10 мкм. За пределами области канала толщина окисла составляет 1 мкм. Этот сравнительно толстый слой окисла выполняет функции защитного диэлектрика, позволяет существенно снизить значения паразитных емкостей сигнальных шин и повысить пороговое напряжение паразитных МДП-транзисторов (рис.

1) в местах прохождения алюминиевых проводников над диффузионными шинами питания. Рис. 6.

1 Чертеж топологии (а) и электрическая схема (б) паразитного транзистора. Рис. 1 Конструкция (а) и электрическая схема (б) нагрузочного р-канального МДП-транзистора Рис.

2 Конструкция МДП-транзистора с П-образным каналом В нагрузочных транзисторах значение крутизны передаточной характеристики может быть небольшим, и соответственно отношение длины канала к его ширине выбирается таким, чтобы при заданной крутизне нагрузочный транзистор занимал минимальную площадь (рис. 1). В том случае, когда для обеспечения высоких значений крутизны характеристик активного транзистора отношение bк/lК должно быть равно или больше 20, с целью экономии площади рекомендуется П-образная форма канала (рис.

2). Для повышения степени интеграции в микросхемах, требующих последовательного и параллельного соединения транзисторов, области истоков или стоков МДП-транзисторов могут быть объединены (рис. 3).

На рис. 4 приведена конструкция инвертора, в которой диффузионная область стока активного VT1 и истока нагрузочного .

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Реферат 23.12.1998

Транзисторы

Свойстваp n-пеpехода можно использовать для создания усилителя элек-тpическихколебаний, называемого полупpоводниковым тpиодом или тpанзисто-pом. Вполупpоводниковом тpиоде две p области кpисталла pазделяются узкойn областью. Такой тpиод условнообозначают p n p.

Курсовая Радиоэлектроника 15.02.1999

МОП-транзисторы

1. Устройство полевого транзистора. 2. Схемы включения полевого транзистора. 3. Эквивалентная схема полевого транзистора. 4. Параметры полевого транзистора. 4.1. Частотные свойства. 4.2. Шумовые свойства. 4.3. Тепловые параметры. 4.4. Максимально допустимые параметры.

Реферат Цифровые устройства 21.09.2007

Логические элементы и их электронные аналоги

…. 3 Логический элемент И. … 5 Логический элемент ИЛИ. … 7 Логический элемент НЕ. …. 8 Логический элемент И-НЕ. …12 Логический элемент ИЛИ-НЕ. … 14 Литература. …. 17 Введение. Математической основой цифровой электроники и вычислительной техники является

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов