Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1423,48 Kб
  • Скачали26

КМДП-приборов карманы различного типа проводимости разделены в приповерхностной области слоем толстого окисла, как в биполярных транзисторах с комбинированной изоляцией На рис. . 6 дан наибольший размер топологии КМДП-инвертора, изготовляемого по современной технологии (43 мкм), для сравнения с соответствующим размером аналогичного инвертора, изготовленного по технологии с алюминиевыми затворами (120 мкм, рис.

2). Рис. 6.

Структура КМДП-инвертора с двумя карманами р– и n– - типа электропроводности, изоляцией толстым окислом, одним уровнем поликремния и подлегированием периферийных областей Конструкции элементов КМДП-БИС на сапфировых подложках Хотя в настоящий момент технологию КМДП БИС на сапфировых подложках нельзя рассматривать как серийную массовую технологию БИС, она по-прежнему является многообещающей с точки зрения создания чрезвычайно быстродействующих приборов. Этот конструктивно-технологический вариант обещает существенное повышение плотности упаковки КМДП-приборов. По сравнению с КМДП-схемами на кремниевых подложках вариант КНС позволяет уменьшить площадь кристалла приблизительно на 30% главным образом за счет исключения металлической или поликремниевой перемычки между р+- и n+-областями р-канального нагрузочного и n-канального управляющего транзисторов (рис.

2, 6), путем их непосредственного конструктивного объединения. Кроме того, КНС-приборы характеризуются приблизительно вдвое меньшей паразитной емкостью по сравнению с приборами на кремниевых подложках. Преимущества КМДП-схем на сапфировых подложках по плотности упаковки, быстродействию, рассеиваемой мощности по сравнению со схемами на монолитных кремниевых подложках пока еще в массовом производстве не оправдывают тех дополнительных затрат, которые связаны с очень высокой стоимостью эпитаксиальных структур кремния на сапфировых подложках.

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Реферат Информатика 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном...

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Биполярного И Полевого Транзисторов В Одном Кристалле. Инжекционно-Полевая Логика» Минск, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик

Курсовая Международные отношения 20.03.2009

Роль и место лицензий в международном технологическом обмене

3 1. Роль и место лицензий в международном технологическом обмене 5 1.1. Формы и методы обмена технологией 5 1.2. Основные понятия лицензионной деятельности 6 1.3. Защита интеллектуальной собственности 12 2. Особенности лицензионной деятельности корпорации

Контрольная Безопасность жизнедеятельности 19.04.2007

Контрольная вариант №3

Содержание Вопрос 1. 3 Виды инструктажа, регистрация инструктажа. 3 Вводный инструктаж. 3 Первичный инструктаж на рабочем месте. 4 Повторный инструктаж. 4 Внеплановый инструктаж. 5 Целевой инструктаж. 5 Обучение и проверка знаний руководителей и специалистов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов