Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1423,48 Kб
  • Скачали26

В частности, эффект защелкивания можно устранить использованием n+-подложки, которая образует общий базовый контакт ко всем базовым областям паразитных р-n-р-транзисторов. Соединив ее с положительным полюсом источника питания, можно получить низ-коомную шунтирующую цепь, закорачивающую эмиттерные переходы паразитных р-п-р-транзисторов. Технология с двойными карманами позволяет реализовать структуры транзисторов с минимальными размерами, так как возможность независимого легирования каждого типа карманов решает максимально для каждого типа транзисторов проблему сквозного обеднения.

Кроме того, карманы получаются самосовмещенными. Рис. 5.

Структура фрагмента КМДП БИС с двумя слоями поликремния, сплошным р-карманом и подлегированием периферийных областей друг с другом: всюду, где нет кармана n-типа, есть карман р-типа. Это позволяет использовать для их формирования один и тот же фотошаблон. На рис.

5 представлена структура КМДП-инвертора с р-карманами, в которой для повышения плотности размещения элементов на кристалле используют пленочную систему с двумя слоями поликремния и одним слоем металлизации. Для затрудения образования паразитных МДП-транзисторов применяют подлегирование периферийных областей соответствующими примесями методом ионной имплантации. Эта структура используется для создания БИС микропроцессоров.

Два слоя поликремния в сочетании со слоем металлизации обеспечивает большую свободу в организации разводки БИС и, следовательно, более высокие плотность упаковки и степень интеграции. В современной технологии КМДП БИС помимо поликремниевых затворов и двух уровней поликремния используются двойные карманы для независимой оптимизации характеристик р- и п-канальных транзисторов (рис. 4).

В некоторых конструктивно-технологических вариантах .

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Реферат Информатика 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном...

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Биполярного И Полевого Транзисторов В Одном Кристалле. Инжекционно-Полевая Логика» Минск, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик

Курсовая Международные отношения 20.03.2009

Роль и место лицензий в международном технологическом обмене

3 1. Роль и место лицензий в международном технологическом обмене 5 1.1. Формы и методы обмена технологией 5 1.2. Основные понятия лицензионной деятельности 6 1.3. Защита интеллектуальной собственности 12 2. Особенности лицензионной деятельности корпорации

Контрольная Безопасность жизнедеятельности 19.04.2007

Контрольная вариант №3

Содержание Вопрос 1. 3 Виды инструктажа, регистрация инструктажа. 3 Вводный инструктаж. 3 Первичный инструктаж на рабочем месте. 4 Повторный инструктаж. 4 Внеплановый инструктаж. 5 Целевой инструктаж. 5 Обучение и проверка знаний руководителей и специалистов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов