Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1423,48 Kб
  • Скачали26

транзистор для получения необходимого порогового напряжения (порядка 1 В) выполнен непосредственно в подложке n-типа с соответствующей примесной концентрацией. Для га-канального транзистора в подложке n-типа сформирован карман р-типа. Уровень легирования этого кармана естественно выше, чем в подложке, так как это легирование должно обеспечить перекомпенсацию исходной примеси с определенной точностью и воспроизводимостью.

Вследствие этого возрастают емкости р-n-переходов стока и истока. а) б) в) Рис. 4.

Варианты формирования структуры КМДП БИС с карманом р-типа (а), n-типа (б) и с карманами двух типов (в): /—толстый окисел; 2—тонкий (подзат-ворный) диэлектрик; 3— поликремневые затворы; 4— р+-диффузионные области стока и истока р-ка-нального МДП-транзистора;5— n+-диффузионные области стока и истока n-канального МДП-транзистора Улучшить рабочие характеристики n-канальных приборов позволяет конструктивно-технологический вариант исполнения КМДП-инвертора с карманами n-типа (рис. 4, б). Этот вариант является наиболее пригодным при создании КМДП-микросхем с большим количеством n -канальных приборов.

При этом n -канальные транзисторы имеют такие же высокие характеристики, что и транзисторы в обычных и-канальных МДП-микросхемах, что представляет собой весьма важное преимущество. К сожалению, в этом случае сразу же возникает аналогичная проблема снижения рабочих характеристик р-канальных транзисторов, у которых возрастают паразитные емкости. Полное решение проблемы повышения характеристик транзисторов связано с освоением КМДП-технологии с карманами двух типов (двойными), в которой оба типа транзисторов формируются в своих карманах (рис.

4, в). В этом случае исходный уровень легирования подложки (на рис. 4, в — эпитаксиального слоя) должен быть очень невысоким, чтобы для каждого типа карманов можно было подобрать оптимальную для его транзисторов дозу имплантируемой примеси.

При наличии двойных карманов для каждого из типов приборов можно принять независимые меры защиты от эффектов второго порядка — сквозного обеднения, влияния подложки, пробоя, эффекта защелкивания.

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Реферат Информатика 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном...

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Биполярного И Полевого Транзисторов В Одном Кристалле. Инжекционно-Полевая Логика» Минск, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик

Курсовая Международные отношения 20.03.2009

Роль и место лицензий в международном технологическом обмене

3 1. Роль и место лицензий в международном технологическом обмене 5 1.1. Формы и методы обмена технологией 5 1.2. Основные понятия лицензионной деятельности 6 1.3. Защита интеллектуальной собственности 12 2. Особенности лицензионной деятельности корпорации

Контрольная Безопасность жизнедеятельности 19.04.2007

Контрольная вариант №3

Содержание Вопрос 1. 3 Виды инструктажа, регистрация инструктажа. 3 Вводный инструктаж. 3 Первичный инструктаж на рабочем месте. 4 Повторный инструктаж. 4 Внеплановый инструктаж. 5 Целевой инструктаж. 5 Обучение и проверка знаний руководителей и специалистов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Последние запросы

Облако тегов