Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1423,48 Kб
  • Скачали26

КМДП-ячейке может быть больше обычно принятого значения, равного четырем. Одним из недостатков КМДП-микросхем, выполненных по традиционной технологии (см. рис.

2), является вероятность защелкивания: вследствие своей близости друг к другу р- и n-канальные приборы вместе могут образовывать сквозные р-п-р-п или п-р-п-р-структуры, которые ведут себя как кремниевые управляемые выпрямители (тиристоры), т. е. защелкивающиеся приборы, которые обычно срабатывают от бросков тока во входной или выходной цепи.

Этот бросок тока попадает в базу п-р-п- или p-n-p-прибора, а раз открывшись, паразитная р-n-р-n-структура остается в этом состоянии вплоть до выключения питания. Решение проблемы защелкивания КМДП-микросхем — в создании изолирующих карманов для каждого типа транзисторов. Одним из недостатков КМДП-микросхем, выполненных по традиционной технологии (см.

рис. 2), является вероятность защелкивания: вследствие своей близости друг к другу р- и n-канальные приборы вместе могут образовывать сквозные р-п-р-п- или п-р-п-р-структуры, которые ведут себя как кремниевые управляемые выпрямители (тиристоры), т. е.

защелкивающиеся приборы, которые обычно срабатывают от бросков тока во входной или выходной цепи. Этот бросок тока попадает в базу п-р-п- или p-n-p-прибора, а раз открывшись, паразитная р-n-р-n-структура остается в этом состоянии вплоть до выключения питания. Решение проблемы защелкивания КМДП-микросхем — в создании изолирующих карманов для каждого типа транзисторов.

б) n- канальный p- канальный Рис. 2. Конструкция КМДП-инвертора с алюминиевыми затворами (а) и его топология (б): I— алюминий; 2— охранное кольцо р-канального транзистора; 3— охранное кольцо n-канального транзистора; 4— р-карман n-канального транзистора; штриховой линией показана область тонкого окисла 10-6 10-7 10-8 Рис.

3 Зависимость потребляемой мощности от скорости переключения для различных конструктивно-технологических .

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Реферат Информатика 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном...

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Биполярного И Полевого Транзисторов В Одном Кристалле. Инжекционно-Полевая Логика» Минск, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик

Курсовая Международные отношения 20.03.2009

Роль и место лицензий в международном технологическом обмене

3 1. Роль и место лицензий в международном технологическом обмене 5 1.1. Формы и методы обмена технологией 5 1.2. Основные понятия лицензионной деятельности 6 1.3. Защита интеллектуальной собственности 12 2. Особенности лицензионной деятельности корпорации

Контрольная Безопасность жизнедеятельности 19.04.2007

Контрольная вариант №3

Содержание Вопрос 1. 3 Виды инструктажа, регистрация инструктажа. 3 Вводный инструктаж. 3 Первичный инструктаж на рабочем месте. 4 Повторный инструктаж. 4 Внеплановый инструктаж. 5 Целевой инструктаж. 5 Обучение и проверка знаний руководителей и специалистов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов