Конструктивно-технологические варианты исполнения элементов КМДП-БИС

  • Добавили17.06.2009
  • Размер1423,48 Kб
  • Скачали26

с индуцированными канала-ми и его передаточная характеристика (б) Рассмотрим в упрощенном виде передаточную характеристику (зависимость (Uвых от Uвх) (рис. 1, б) инвертора: параметры транзисторов будем считать одинаковыми, а токи утечки пренебрежимо малыми. При общем условии |Uop+|Uon|<|Uи.

п|<|Uпр|, где Uпр —напряжение пробоя перехода сток—подложка n-канального транзистора, работа инвертора осуществляется следующим образом. При 0

1). При увеличении Uвых от Uon до Uи. р—Uop происходит плавное запирание р-транзистора, отпирание п-транзистора и уменьшение напряжения на выходе Uвых.

При Uвх = Uи. п — Uop нагрузочный транзистор VT2 закрыт и Uвых =0= U0. Как мы видим, и в состоянии логического нуля и в состоянии логической единицы один из транзисторов находится в закрытом состоянии и ток от источника питания отсутствует.

Потребление энергии происходит только в момент переключения инвертора из одного состояния в другое и расходуется на перезарядку емкости нагрузки. При этом рассеиваемая мощность пропорциональна частоте переключения f, емкости нагрузки СН и квадрату напряжения источника питания: . Отсюда естественно вытекает, что самым эффективным средством снижения рассеиваемой инвертором мощности является уменьшение напряжения источника питания, на величину которого, как это видно из предыдущего рассмотрения, накладываются ограничения: Uon< Uи.

п, Uop< Uи. п , Uon+Uop> Uи. п.

Минимальные значения пороговых напряжений определяются возможностями технологии изготовления КМДП-инвертора, а также допустимыми уровнями помех.

Скачать
Реферат Радиоэлектроника 17.06.2009

Конструкции элементов полупроводниковых микросхем на МДП-транзисторах

«Конструкции Элементов Полупроводниковых Микросхем НА МДП-Транзисторах» Минск, 2008 Интегральные микросхемы на транзисторах со структурой металл - диэлектрик - полупроводник получили широкое распространение, и их производство составляет значительную долю продукции электронной промышленности.

Реферат Информатика 17.06.2009

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном...

«Конструктивно-Технологические Варианты Исполнения Биполярного И Полевого Транзисторов В Одном Кристалле. Инжекционно-Полевая Логика» Минск, 2009 При изготовлении биполярного и полевого транзисторов в одном кристалле возникает проблема оптимизации характеристик

Курсовая Международные отношения 20.03.2009

Роль и место лицензий в международном технологическом обмене

3 1. Роль и место лицензий в международном технологическом обмене 5 1.1. Формы и методы обмена технологией 5 1.2. Основные понятия лицензионной деятельности 6 1.3. Защита интеллектуальной собственности 12 2. Особенности лицензионной деятельности корпорации

Контрольная Безопасность жизнедеятельности 19.04.2007

Контрольная вариант №3

Содержание Вопрос 1. 3 Виды инструктажа, регистрация инструктажа. 3 Вводный инструктаж. 3 Первичный инструктаж на рабочем месте. 4 Повторный инструктаж. 4 Внеплановый инструктаж. 5 Целевой инструктаж. 5 Обучение и проверка знаний руководителей и специалистов.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов