Исследование полупроводниковых приборов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер1269,37 Kб
  • Скачали151

наблюдаться развертка исследуемого напряжения во времени. Для получения устойчивого изображения необходимо синхронизировать напряжение генератора развертки с исследуемым сигналом. Допустим, что напряжение сигнала u(t) изменяется во времени по синусоидальному закону, период ТС которого отличается от периода напряжения развертки ТР (рис.

3). В этом случае по окончании периода развертки луч не вернется в исходное положение, т. к.

u(t1) не вернулось в нулевое значение. Второму периоду развертки будет соответствовать кривая 2, смещенная на экране относительно кривой 1 на величину ∆T = ТС – ТР, и т. д.

На экране наблюдается «бегущая синусоида». Для получения устойчивого изображения необходимо выполнить соотношение ТР = nТС, где n – целое число. Если n = 1, то на экране наблюдается один период исследуемого сигнала; при n = 2, 3 на экране наблюдается два, три, и т.

д. периодов сигнала. Существует три вида синхронизации: от сети; внутренняя; внешняя.

Синхронизация от сети применяется в том случае, если исследуются сигналы токов и напряжений, равные или кратные частоте сети 50 Гц. Такие сигналы действуют в выпрямителях, инверторах, ведомых сетью, непосредственных преобразователях частоты и др. При внутренней синхронизации входное устройство входа Y запускает усилитель канала синхронизации, который вырабатывает короткие импульсы с частотой исследуемого сигнала.

Полученные импульсы поступают на генератор развертки, который генерирует импульсы с частотой, равной или кратной частоте сигнала. При внешней синхронизации переключатель П5 находится в положении 2, и запуск генератора развертки производится внешним сигналом. С помощью переключателя П1 генератор развертки может быть исключен из канала .

Скачать
Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Диплом Радиоэлектроника 23.12.1998

Полупроводниковые приборы

. 4 1. Параметры И Характеристики Полупровдни- Ковых Приборов. 5 1.1 Идеализированные статические вольт-ампер- ные характеристики транзисторов. 11 1.2 Реальные статические вольт-амперные харак- теристики транзимторов. 12 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор и Биспин.

Реферат Электроника и схемотехника 10.02.2010

Развитие исследований полупроводников

В результате исследований была обнаружена односторонняя проводи¬мость полупроводников. Это послужило толч¬ком к созданию кристаллического детекто¬ра только не К.Ф. Брауном, а американским генералом Х.Дамвуди (H.H.Dunwody) в том же 1906 г. Нобелевская речь К.

Курсовая Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые материалы

1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов