Исследование полупроводниковых приборов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер1269,37 Kб
  • Скачали151

пластины ЭЛТ с опережением относительно сигнала, что позволяет наблюдать на экране начало процесса. На выходе усилителя Y создается напряжение, пропорциональное входному сигналу и вызывающее вертикальное отклонение луча. Усилитель обеспечивает чувствительность канала Y в пределах до 2500 мм/В при сравнительно низкой чувствительности ЭЛТ в пределах 0,1…0,4 мм/В.

Канал горизонтального отклонения луча состоит из входного устройства, усилителя канала синхронизации, генератора развертки и усилителя горизонтального отклонения (усилитель X). Входное устройство канала Х не имеет устройства задержки сигнала. Генератор развертки создает линейно изменяющееся напряжение, которое через усилитель Х поступает на горизонтально отклоняющие пластины ЭЛТ.

Рис. 2. Схематическое изображение электронно-лучевой трубки Сигналы от входного устройства Y или Х поступают на генератор развертки через усилитель синхронизации.

С помощью переключателя П2 генератор развертки может быть исключен из канала X. Тогда на горизонтально отклоняющие пластины подается напряжение, пропорциональное сигналу на входе X. Пусть осциллограф работает в режиме развертки, для которого на схеме показано положение переключателей П1–П3.

Если на входе Y сигнал отсутствует, то линейно изменяющееся напряжение генератора развертки смещает электронный луч по экрану ЭЛТ слева направо с постоянной скоростью. При этом на экране получатся прямая. По окончании действия напряжения, генератора развертки луч возвращается в исходное положение в левой части экрана.

После этого процесс повторяется. Смещение X луча по горизонтали пропорционально времени t. Пусть на входе Y появляется напряжение u(t).

Благодаря напряжению генератора развертки на экране будет .

Скачать
Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Диплом Радиоэлектроника 23.12.1998

Полупроводниковые приборы

. 4 1. Параметры И Характеристики Полупровдни- Ковых Приборов. 5 1.1 Идеализированные статические вольт-ампер- ные характеристики транзисторов. 11 1.2 Реальные статические вольт-амперные харак- теристики транзимторов. 12 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор и Биспин.

Реферат Электроника и схемотехника 10.02.2010

Развитие исследований полупроводников

В результате исследований была обнаружена односторонняя проводи¬мость полупроводников. Это послужило толч¬ком к созданию кристаллического детекто¬ра только не К.Ф. Брауном, а американским генералом Х.Дамвуди (H.H.Dunwody) в том же 1906 г. Нобелевская речь К.

Курсовая Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые материалы

1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Последние запросы


экономический потенциал региона Оксюмороны из произведения Господин из Сан-Франциско опнтеяяхнмюкэмши ярюмдюпр оедюцнцю исследование потребителей продукции Предмет методология периодизация истории государства и права зарубежных стран Физиологические потребности человека при дыханий классификация компьютеров Факторы лимитирующие спортивную работоспособность человека юридический факт боевое стрелковое оружие теория денег кейнс Иркутская область во второй половине 18 века социально-экономическое развитие история древнего мира технология перевозки груза инструмент оценки положения и построения стратегии горного предприятия на рынке реферат на тему исторический памятники Узбекистана Государственная итоговая аттестация этикет ежедневные общения различия высшая школа останкино земельный фонд и его динамика под влиянием антропогенных факторов

Облако тегов