Исследование полупроводниковых приборов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер1269,37 Kб
  • Скачали151

(ЭЛТ). Катод К в трубке служит источником электронов. Электроны собираются в узкий луч при помощи электрического или магнитного поля специальных электродов или катушек с током.

Электронный луч фокусируется на экране, который образуется внутренней стороной стеклянного баллона трубки, покрытой люминофором. Схематическое устройство ЭЛТ с электростатическим управлением приведено на рис. 2.

Металлический катод К, подогреваемый током металлической нити Н, имеет форму стакана. Катод охвачен полым цилиндрическим модулятором М с отверстием на оси. Модулятор имеет отрицательный потенциал относительно катода, который регулируется потенциометром R1.

Чем меньше напряжение модулятора, тем меньше плотность электронного потока, проходящего через модулятор и, следовательно, тем меньше яркость изображения на экране. Электроны, прошедшие через модулятор, попадают в электрическое поле первого А1 и второго А2 анодов, имеющих вид полых металлических цилиндров. Анодам сообщаются высокие положительные потенциалы от источника питания через делитель R1–R2–R3.

Регулировкой потенциала первого анода с помощью потенциометра R2 добиваются точной фокусировки пучка электронов на поверхности экрана. Для управления положением светящегося пятна на экране применяются отклоняющие пластины X и Y, которые расположены взаимно перпендикулярно. При изменении разности потенциалов между Y1 и Y2, а также X1 и Х2 изменяется положение электронного луча на экране благодаря воздействию электростатических полей отклоняющих пластин на электроны.

Разность потенциалов между пластинами Х определяет положение луча по горизонтали, а разность потенциалов между пластинами Y – положение луча по вертикали. Канал вертикального отклонения луча содержит входное устройство и широкополосный усилитель (усилитель Y). Входное устройство содержит делитель напряжения, который позволяет регулировать чувствительность канала Y, кроме того, в него входит устройство задержки сигнала.

Задержка сигнала вводится для того, чтобы напряжение развертки луча поступило на горизонтально отклоняющие .

Скачать
Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Диплом Радиоэлектроника 23.12.1998

Полупроводниковые приборы

. 4 1. Параметры И Характеристики Полупровдни- Ковых Приборов. 5 1.1 Идеализированные статические вольт-ампер- ные характеристики транзисторов. 11 1.2 Реальные статические вольт-амперные харак- теристики транзимторов. 12 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор и Биспин.

Реферат Электроника и схемотехника 10.02.2010

Развитие исследований полупроводников

В результате исследований была обнаружена односторонняя проводи¬мость полупроводников. Это послужило толч¬ком к созданию кристаллического детекто¬ра только не К.Ф. Брауном, а американским генералом Х.Дамвуди (H.H.Dunwody) в том же 1906 г. Нобелевская речь К.

Курсовая Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые материалы

1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов