Исследование полупроводниковых приборов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер1269,37 Kб
  • Скачали151

делителем, причем, Кдел = 4. Определить масштабы тока и напряжения. По характеристикам определить пороговое напряжение, прямое падение напряжения при токе 30 мА.

Сравнить параметры в пунктах 1 и 2. Сравнить параметры кремниевого и германиевого диодов. 3.

Снятие вольтамперной характеристики туннельного диода при помощи осциллографа. Собрать схему, приведенную на рис. 15.

Рис. 15. Схема для снятия вольтамперной характеристики туннельного диода при помощи осциллографа Схема позволяет снять прямую ветвь характеристики.

Перед началом опыта движок потенциометра поставить в положение, показанное на рис. 15. Внимание!

Постепенно увеличивать напряжение от нуля. Рис. 16.

Вольтамперная характеристика туннельного диода По характеристике определить дифференциальные сопротивления на разных участках прямой ветви, пиковый ток, ток впадины, отношение пикового тока к току впадины, напряжение пика, напряжение впадины (рис. 16. ) При оформлении отчета представить таблицы измерений и обработанные осциллограммы.

Сделать выводы по каждому пункту. Внимание! Тумблер «Усилитель Y» держать в положении «x10».

Контрольные вопросы 1. Пояснить образование несимметричного ступенчатого p-n-перехода. 2.

Как изменить сопротивление p-n-перехода? 3. Почему возрастает ток при прямом включении p-n-перехода, а при обратном включении p-n-переход закрыт?

4. Что показывают предельные параметры диода? 5.

Перечислить характеризующие и предельные параметры выпрямительного диода? 6. Что такое ток термогенерации?

7. Причины возникновения пробоя p-n-перехода. 8.

Как определить класс вентиля? 9. Как зависит вид вольтамперной характеристики диода от концентрации примесей в слоях?

10. Как снимается вольтамперная характеристика диода? Таблица вариантов № вар.

Uпор, В Ri, Ом Pдоп, Вт Iп, А № вар. Uпор, В Ri, Ом Pдоп, Вт Iп, А 1 0,40 0,80 0,32 0,40 13 0,40 0,90 0,32 0,40 2 0,50 0,80 0,50 0,50 14 0,50 0,90 0,40 0,50 3 0,60 0,80 0,70 0,60 15 0,60 1,50 0,24 0,30 4 0,45 0,75 0,70 0,70 16 0,45 1,20 0,24 0,30 5 0,65 0,70 0,75 0,80 17 0,65 1,30 0,28 0,35 6 0,40 0,70 0,80 0,90 18 0,40 0,75 0,70 0,80 7 0,45 0,60 1,0 1,0 19 0,45 0,65 1,10 1,0 8 0,50 0,20 1,50 2,50 20 0,50 0,25 1,45 2,50 9 0,40 0,10 3,0 5,0 21 0,40 0,10 3,50 5,0 10 0,45 0,10 4,0 7,0 22 0,45 0,09 5,0 7,0 11 0,50 0,08 6,0 8,0 23 0,50 0,07 6,0 8,0 12 0,40 0,05 8,0 10,0 24 0,40 0,05 8,0 10,0 Примечание: Студенты, получившие подвариант А, строят вольтамперную характеристику диода; получившие подвариант Б – строят кривую максимально допустимой мощности рассеивания; получившие подвариант .

Скачать
Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Диплом Радиоэлектроника 23.12.1998

Полупроводниковые приборы

. 4 1. Параметры И Характеристики Полупровдни- Ковых Приборов. 5 1.1 Идеализированные статические вольт-ампер- ные характеристики транзисторов. 11 1.2 Реальные статические вольт-амперные харак- теристики транзимторов. 12 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор и Биспин.

Реферат Электроника и схемотехника 10.02.2010

Развитие исследований полупроводников

В результате исследований была обнаружена односторонняя проводи¬мость полупроводников. Это послужило толч¬ком к созданию кристаллического детекто¬ра только не К.Ф. Брауном, а американским генералом Х.Дамвуди (H.H.Dunwody) в том же 1906 г. Нобелевская речь К.

Курсовая Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые материалы

1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов