Исследование полупроводниковых приборов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер1269,37 Kб
  • Скачали151

8). Рис. 8.

Ударный ток [pn] – максимально допустимая температура p-n-перехода, которая для кремниевых диодов составляет величину 120 – 1250 С. Рдоп – максимально допустимая мощность, рассеиваемая на переходе. Рис.

9. Кривая максимально допустимой мощности рассеивания Мощность Рдоп рассеивается при максимально допустимой температуре p-n-перехода: Рдоп = ([pn] – Токр)/Rt [Вт], где Токр – температура окружающей среды. Построение линии Рдоп = 1 Вт для диода с предельным током 10 А показано на рис.

9. Для построения кривой составляется таблица 1. В ней задается значение тока, по которому вычисляется значение напряжения U = Рдоп/I.

Таблица 1 – Значения тока и напряжения для Pдоп = 1 Вт I, А 1,0 2,0 5,0 10 U, В 1,0 0,5 0,2 0,1 5. Схема замещения диода . Схема замещения диода приведена на рис.

10, где rэ и rб – омические сопротивления слоев эмиттера и базы; rpn – дифференциальное сопротивление p-n-перехода. Омические сопротивления слоев определяются известным выражением: . Дифференциальное сопротивление rpn определяется выражением .

В прямом направлении rpn очень мало, поэтому внутреннее сопротивление диода определяется сопротивлением базы: Ri  rб. В обратном направлении омические сопротивления слоев много меньше rpn, поэтому Rобр  rpn. Одноименная область зарядов на p-n-переходе представляет собой диэлектрик, а прилегающие слои полупроводников – обкладки конденсатора, поэтому в схеме замещения появляется емкость p-n-перехода.

Различают барьерную и диффузионную емкости. Барьерная определяется для обратного включения диода. Она зависит от распределения зарядов в p-n-переходе, которое, в свою очередь, зависит от обратного напряжения Uобр.

Зависимость барьерной емкости от обратного напряжения приведена на рис. 11. В общем случае характеристика носит нелинейный характер, но можно выделить на ней линейный участок.

С увеличением обратного напряжения емкость Сpn уменьшается.

Скачать
Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Диплом Радиоэлектроника 23.12.1998

Полупроводниковые приборы

. 4 1. Параметры И Характеристики Полупровдни- Ковых Приборов. 5 1.1 Идеализированные статические вольт-ампер- ные характеристики транзисторов. 11 1.2 Реальные статические вольт-амперные харак- теристики транзимторов. 12 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор и Биспин.

Реферат Электроника и схемотехника 10.02.2010

Развитие исследований полупроводников

В результате исследований была обнаружена односторонняя проводи¬мость полупроводников. Это послужило толч¬ком к созданию кристаллического детекто¬ра только не К.Ф. Брауном, а американским генералом Х.Дамвуди (H.H.Dunwody) в том же 1906 г. Нобелевская речь К.

Курсовая Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые материалы

1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов