Исследование полупроводниковых приборов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер1269,37 Kб
  • Скачали151

Инжектирующий слой, имеющий относительно малое удельное сопротивление, называется эмиттером. В рассмотренном примере эмиттер – n-слой. Эмиттер имеет малое удельное сопротивление из-за повышенной концентрации основных носителей по сравнению с p-слоем.

Второй слой, в который происходит инжекция, называется базой. База имеет относительно большое удельное сопротивление из-за пониженной концентрации примесей по сравнению с эмиттером. В слове диод «ди» означает наличие двух выводов или двух электродов полупроводникового прибора.

Разновидности диодов: 1) плоскостные выпрямительные; 2) точечные выпрямительные; 3) диоды Шоттки; 4) туннельные диоды; 5) полупроводниковые стабилитроны; 6) варикапы. 4. Параметры выпрямительных диодов.

Плоскостные выпрямительные диоды различаются по мощности и диапазону частот. По мощности они делятся на три группы: маломощные, средней мощности, большой мощности. Маломощные диоды имеют предельный ток Iп = 10–100 мА, диоды средней мощности – Iп = 0,1–10 А, большой мощности – Iп  10 А.

Чем больше предельный ток, тем меньше граничная частота работы диода. Например, диод с предельным током 500 А имеет граничную частоту работы 600 Гц. Маломощные диоды имеют граничную частоту в пределах десятков, сотен килогерц.

Полупроводниковые диоды имеют два вида параметров: характеризующие параметры и предельные. Характеризующие параметры определяют значения электрических, тепловых и механических величин в заданной точке вольтамперной характеристики. 4.

1. Основные характеризующие параметры диода. R – сопротивление постоянному току, которое определяется как для прямой, так и для обратной ветви: R = .

Ri – дифференциальное сопротивление, которое называется еще внутренним, или динамическим: Ri = . Оно определяется для линейного рабочего участка прямой ветви: Ri = (рис. 6).

Uпор – пороговое напряжение, которое определяется по спрямленному линейному участку (рис. 6). Р – мощность, рассеиваемая на переходе, .

Мощность Р нагревает переход, а тепло рассеивается в окружающую среду.

Скачать
Курсовая Физика 30.01.2007

Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов и слоистых структур

Современные условия жизни требуют от студентов хорошую теоретическую подготовку и, что особенно важно, практические знания и умения - столь необходимые в рыночной экономике. Студент умеющий работать со сложными приборами и установками, самостоятельно

Диплом Радиоэлектроника 23.12.1998

Полупроводниковые приборы

. 4 1. Параметры И Характеристики Полупровдни- Ковых Приборов. 5 1.1 Идеализированные статические вольт-ампер- ные характеристики транзисторов. 11 1.2 Реальные статические вольт-амперные харак- теристики транзимторов. 12 2. Физические Процессы Происходящщие В Приборах Туннелистор и Биспин.

Реферат Электроника и схемотехника 10.02.2010

Развитие исследований полупроводников

В результате исследований была обнаружена односторонняя проводи¬мость полупроводников. Это послужило толч¬ком к созданию кристаллического детекто¬ра только не К.Ф. Брауном, а американским генералом Х.Дамвуди (H.H.Dunwody) в том же 1906 г. Нобелевская речь К.

Курсовая Радиоэлектроника 24.06.2009

Полупроводниковые материалы

1. Температурные зависимости концентрации, подвижностей носителей заряда собственных и примесных полупроводников 1.1 Температурные зависимости концентрации в собственном полупроводнике 1.2 Температурные зависимости концентрации в донорном полупроводнике

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов