Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер2277,61 Kб
  • Скачали53

ВАХ. С другой стороны, вместо сепарабельных малосигнальных моделей БТ предлагают использовать достаточно широкий круг моделей в виде эквивалентных схем, каждая из которых отражает особенности её применения БТ или удобство статистических моделей 25-35 . определения её параметров 5,7,11,14 или формальных или факторных моделей.

В библиотеке PSpice имеются также встроенные модели полевого канального транзистора ПКТ , полевого арсенид-галлиевого транзистора ПАГТ и МОП-транзистора. ПКТ описывается моделью Шихмана - Хоужеса 19-21 , основанной на использовании идеализированных р-n переходов исток - затвор и сток - затвор. Модель идентифицируется 24-мя параметрами и четырьмя условиями для температурного режима, причём температурная зависимость определена для восьми параметров базовой модели.

Для практического использования, также как и для модели БТ, предлагается упрощённая модель, идентифицируемая 10-ю параметрами из 24-х базовой модели. В этой модели температурные зависимости параметров исключены. Более подробное описание модели ПКТ приведено в 8 .

ПАГТ описывается четырьмя разновидностями моделей, предложенными Куртисом 22-24 и другими 8 . Модель Куртиса даёт удовлетворительные результаты лишь при описании статического режима, в то время как остальные модели отражают и динамические характеристики ПАГТ. Модели 1-3 уровней идентифицированы 32-мя параметрами и 4-мя условиями в области температуры.

Для расчёта модели 4-го уровня количество параметров расширяется до 54-х за счёт более полного описания статического режима. Учёт температурного режима определяют с помощью 5-ти коэффициентов расчета температурных зависимостей 10-ти параметров. МОП-транзисторы описываются шестью разными системами уравнений, выбор которых осуществляют параметром LEVEL, принимающим значения от одного до шести.

Первый уровень LEVEL 1 используют в тех случаях, когда не предъявляют высоких требований к точности моделирования ВАХ. Модели второго и третьего уровней учитывают более тонкие физические процессы. Параметры четвёртого-шестого уровней рассчитываются по справочным данным с помощью специальных программ .

Скачать
Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

Курсовая Программирование 10.03.2010

Исследование и разработка методов и алгоритмов резервного копирования данных, на жестких дисках

Введение 3 Глава 1. Обзор Современного Состояния Проблем Существующих Методов И Алгоритмов Резервного Копирования Данных НА Жестких Дисках. Постановка Задачи Исследований 7 1.1 Принципы организации данных на жестких дисках. Запись, копирование, удаление

Курсовая Менеджмент 17.11.2008

Методы экспертных оценок при разработке и принятии управленческих решений

Введение 3 1.Сущность и виды решений в процессе управления производством. 8 2.Основные требования, предъявляемые к качеству управленческих решений. 11 3.Методы оптимизации управленческих решений. 14 4.Расчетная часть 25 Заключение 31 Список литературы

Курсовая Менеджмент 28.10.2008

Алгоритрм исследования систем управления

4 1. Формы организации исследования систем управления 5 1.1. Основные условия проведения и участники исследования СУ 5 1.2. Основные формы организации СУ и их характеристика 6 2. Консультирование как форма организации процесса исследования систем управления

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов