Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер2277,61 Kб
  • Скачали53

Ви - обратного напряжения пробоя Rs - объёмное сопротивление Uk - контактной разности потенциалов Со - барьерной ёмкости при нулевом смещении перехода. Однако в реальных моделях пользователю представляется возможным учитывать только температурную зависимость параметра Is 8 . Остальные температурные зависимости не учитывают, обнуляя по умолчанию соответствующие температурные коэффициенты.

Линейная модель диода, представляющая собой линейную схему замещения в рабочей точке, показана на рисунке 2. 10, где R - объёмное сопротивление С Ц -ёмкость р-п перехода в i- ой рабочей точке Uj - напряжения на р-n переходе в i- ой рабочей точке 1,2 - узлы подключения. Диффузионная проводимость диода в рабочей точке, рассчитывается по формуле G d KJl ldU , 2.

33 где kj - коэффициент инжекции. В модели также предусмотрен учёт шумовых свойств диода при включении источников шума по схеме рисунка 2. 11, где ток 1ШГ характеризует тепловой шум, а ток 1щд дробовой и фликер шумы диода.

В рассмотренной модели диода предусмотрено описание её посредством 29 параметров, однако, базовая модель представляемая пользователю содержит только 10 из них 8 . Вопросы о целесообразности такого усечения модели не обсуждаются. Эта модель соответствует моделям, используемым на первых этапах развития САПР.

Например, в 7 рассмотрена аналогичная макромодель диода, для описания которой используется также 10 параметров. На наш взгляд такое усечение модели связано со сложностью аттестации параметров полных моделей. Из анализа усечённых моделей совершенно ясно, что принятые за основу этих моделей 10 параметров могут быть аттестованы по паспортным данным диодов, другими словами, при исключении дополнительных измерений, необходимых для аттестации полной версии модели.

С другой стороны, при описании ВАХ по Эберсу-Моллу за основу выбирают структуру идеального р-n перехода, в котором прямая ветвь описывается .

Скачать
Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

Курсовая Программирование 10.03.2010

Исследование и разработка методов и алгоритмов резервного копирования данных, на жестких дисках

Введение 3 Глава 1. Обзор Современного Состояния Проблем Существующих Методов И Алгоритмов Резервного Копирования Данных НА Жестких Дисках. Постановка Задачи Исследований 7 1.1 Принципы организации данных на жестких дисках. Запись, копирование, удаление

Курсовая Менеджмент 17.11.2008

Методы экспертных оценок при разработке и принятии управленческих решений

Введение 3 1.Сущность и виды решений в процессе управления производством. 8 2.Основные требования, предъявляемые к качеству управленческих решений. 11 3.Методы оптимизации управленческих решений. 14 4.Расчетная часть 25 Заключение 31 Список литературы

Курсовая Менеджмент 28.10.2008

Алгоритрм исследования систем управления

4 1. Формы организации исследования систем управления 5 1.1. Основные условия проведения и участники исследования СУ 5 1.2. Основные формы организации СУ и их характеристика 6 2. Консультирование как форма организации процесса исследования систем управления

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов