Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер2277,61 Kб
  • Скачали53

R, L, С или аналитических диод, магнитный сердечник макромоделей. Основой компонентной модели является эквивалентная схема РК, элементы которой определяют физические процессы, проходящие в конкретном РК. При таком моделировании основная проблема заключается в точном определении значений элементов эквивалентной схемы.

Развитие модели резистора в область высоких частот показано на рисунке 2. 5, из которого очевидно весьма существенное усложнение модели при переходе в область СВЧ диапазона. Модели конденсатора и кварцевого резонатора также могут, представлены в виде компонентных.

Компонентная модель высокочастотного конденсатора приведена на рисунке 2. 7. Частоты fnocjt последовательного и fnap параллельного резонансов рассчитываются по формулам При расчёте модели учитывают также xl температурный коэффициент эквивалентной индуктивности кварцевого резонатора КР .

Остальные параметры Q, rk, Ck определяются только типом резонатора и не зависят от частоты. Типичным представителем нелинейного пассивного ДП является полупроводниковый диод, компонентная схема которого в системе Pspice приведена на рисунке 2. 9, где R - объёмное сопротивление С - ёмкость р-n перехода I U - ток р-n перехода Ud - падение напряжения на диоде U - парение напряжения на р-n переходе.

Зависимость I U , определяющая ВАХ диода рассматривают по методике, предложенной Эберсом-Моллом 6 в прямом направлении по формуле Емкость C U рассматривают как функцию напряжения на р-n переходе и представляют в виде суммы барьерной Сб и диффузионной СДИф составляющих с и С6 Сдиф, 2. 30 М C6 U CG- 1 npHU Fc Uk 2. 31 V Uk С,аф и С0- -Рс - им - l-Fc M - npHU Fc-Uk , 2.

32 U k где М - коэффициент лавинного размножения Fc - коэффициент нелинейности барьерной ёмкости прямосмещённого перехода. Модель также учитывает явление пробоя и температурные зависимости семи параметров Is - тока насыщения Tsr - параметра рекомбинации Ikf- предельного тока при высоком уровне инжекции .

Скачать
Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

Курсовая Программирование 10.03.2010

Исследование и разработка методов и алгоритмов резервного копирования данных, на жестких дисках

Введение 3 Глава 1. Обзор Современного Состояния Проблем Существующих Методов И Алгоритмов Резервного Копирования Данных НА Жестких Дисках. Постановка Задачи Исследований 7 1.1 Принципы организации данных на жестких дисках. Запись, копирование, удаление

Курсовая Менеджмент 17.11.2008

Методы экспертных оценок при разработке и принятии управленческих решений

Введение 3 1.Сущность и виды решений в процессе управления производством. 8 2.Основные требования, предъявляемые к качеству управленческих решений. 11 3.Методы оптимизации управленческих решений. 14 4.Расчетная часть 25 Заключение 31 Список литературы

Курсовая Менеджмент 28.10.2008

Алгоритрм исследования систем управления

4 1. Формы организации исследования систем управления 5 1.1. Основные условия проведения и участники исследования СУ 5 1.2. Основные формы организации СУ и их характеристика 6 2. Консультирование как форма организации процесса исследования систем управления

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Последние запросы

Облако тегов