Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов

  • Добавили15.06.2009
  • Размер2277,61 Kб
  • Скачали53

Ln - паразитная индуктивность Сп - паразитная ёмкость R - сопротивление, При условиях 2. 21 влиянием параметров Ln и Сп можно пренебречь, а при расчётах рационально использовать более простую модель рисунок 2. 5а .

Однако, если размеры резистора соизмеримы с длиной волны Л -у, 2. 22 где с - скорость света f - рабочая частота, то необходимо учитывать волновые эффекты. Это достигается путём перехода к более сложной многосекционной модели, показанной на рисунке 2.

5в. Каждая секция из четырёх элементов моделирует отрезок lR n резистора, где 1R - максимальный из размеров резистора, п - число секций, выбранное таким образом, чтобы выполнить условие - Я . 2.

23 В этом случае рисунок 2. 5в сопротивление каждой секции равно R n, а параметры собственная ёмкость секции qj, собственная индуктивность секции Lci и ёмкость секции относительно общей шины Cj - определяются конструкцией резистора и его расположением относительно общей шины. Количество МП можно считать практически безграничным, так как МП проектируется на основе ДП, а каждому реальному МП отвечает определённый способ соединения составляющих его ДП.

2. 3 Общие характеристики моделей РК Под моделью РК будем понимать любое математическое описание РК, отражающее с требуемой точностью его поведение в реальных условиях. Если РК является элементом электронной схемы, то его моделью будем называть математическое описание связей между токами и напряжениями, возникающими между его полюсами в статическом и динамическом режимах работы.

В частности моделями могут быть уравнения вольтамперных характеристик ВАХ , дифференциальные уравнения переходных процессов, частотные характеристики и т. п. 5,6 .

Математическую модель РК можно рассматривать как некоторый оператор, ставящий в соответствие системе внутренних параметров хь , хп совокупность связанных между собой внешних параметров уь , уп. Вид функциональной связи зависит от принципа действия РК, а содержание внешних и внутренних параметров РК определяет его физическая сущность и способ использования. Так для моделей РК внешними параметрами являются токи и напряжения, так как преобладающим методом расчёта .

Скачать
Диплом Радиоэлектроника 15.06.2009

Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования...

1 Анализ технического задания 2 Математические модели радиоэлектронных элементов 2.1 Общие положения 2.2 Структура элементной базы радиоэлектронных средств 2.3 Общие характеристики моделей РК 2.4 Модели ДП 2.4.1 Компонентные модели ДП 2.4.2 Факторные

Курсовая Программирование 10.03.2010

Исследование и разработка методов и алгоритмов резервного копирования данных, на жестких дисках

Введение 3 Глава 1. Обзор Современного Состояния Проблем Существующих Методов И Алгоритмов Резервного Копирования Данных НА Жестких Дисках. Постановка Задачи Исследований 7 1.1 Принципы организации данных на жестких дисках. Запись, копирование, удаление

Курсовая Менеджмент 17.11.2008

Методы экспертных оценок при разработке и принятии управленческих решений

Введение 3 1.Сущность и виды решений в процессе управления производством. 8 2.Основные требования, предъявляемые к качеству управленческих решений. 11 3.Методы оптимизации управленческих решений. 14 4.Расчетная часть 25 Заключение 31 Список литературы

Курсовая Менеджмент 28.10.2008

Алгоритрм исследования систем управления

4 1. Формы организации исследования систем управления 5 1.1. Основные условия проведения и участники исследования СУ 5 1.2. Основные формы организации СУ и их характеристика 6 2. Консультирование как форма организации процесса исследования систем управления

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов