Кремний, полученный с использованием "геттерирования" расплава

  • Добавили24.12.1998
  • Размер143,41 Kб
  • Скачали946
Сколько стоит заказать работу?

центров в активных областях приборов на основе кремния, что в свою очередь вызывает деградацию свойств приборов. Совокупность технологических приемов, позволяющих снизить концентрацию таких центров, локализуя их вблизи преципитатов Si0x xw2, расположенных вдали от активных областей приборов, называется методом внутреннего геттерирования ВГ По технологии ВГ накоплен обширный фактический материал, однако физические принципы его механизма в настоящее время окончательно не установлены 1, 2. Широкое распространение, например, получили представления о том, что центрами геттерирования являются дислокации и дефекты упаковки, возникающие вследствие релаксации упругих полей и пересыщения по межузельному кремнию в процессе преципитации кислорода при Г 700С.

Однако эти представления не являются универсальными, что было доказано рядом исследований. Так, в работе 3 показано, что в ряде случаев эффект геттерирования проявляется и в отсутствие дислокаций и дефектов упаковки, при этом сам кислородный преципитат является геттером. Другие авторы 41 обнаружили гексагональные и ромбические дислокационные петли в отсутствие кислородных преципитатов, на основании чего сделано предположение о том, что дислокационные петли возникают при высокотемпературном отжиге вследствие растворения преципитатов, образовавшихся ранее во.

время низкотемпературного отжига. В данной работе представлены результаты исследований физических закономерностей процесса ВГ, выполненных на кафедре общей физики МИЭТ, в которых развита модель дальнодействующего механизма взаимодействия примесь-центр геттерирования. Рассмотрена модель комплекса примесь-точечный дефект, рассчитаны параметры таких комплексов и найдено их неоднородное распределение в упругом поле преципитата.

Представлена также диффузионная модель ВГ на основе взаимодействия дипольных комплексов с кислородным преципитатом. Комплексы примесь-точечный дефект и их неоднородное распределение вблизи центра гетгерировання .

Скачать
Реферат 23.04.2009

Кремний

выдающийся шведский химик и минералог Якоб Берцелиус сумел в двух реакциях выделить не очень чистый кремний. Это был аморфный серый порошок. Для этого он восстановил калием газообразный тетрафторид кремния SiF4. Новый элемент был назван силицием (от латинского silex – камень).

Курсовая 23.12.1998

Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании

Каждое вещество может находится в состоянии которое характеризуется содержанием примеси в нем ниже некоторого определенного предела. Предел определяется различными условиями связанными со свойствами, областью применения веществ. Для полупроводниковых

Контрольная 22.04.2009

Изобарно-изотермический потенциал

9. Определить изменение изобарно-изотермического потенциала реакции N2(г) 2Н2О(ж) NH4NO2 (ж) и дать заключение о направлении ее протекания при стандартных условиях, если для Н2О(ж) равна – 237,4 кДж моль, а для NH4NO2(ж) равна – 115,8 кДж моль. Решение.

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов