Технология производства К56ИЕ10 и серии м/с К426 и К224

  • Добавили24.12.1998
  • Размер55,98 Kб
  • Скачали531
Сколько стоит заказать работу?

3. 13 Промыть пластины в ванне с горячей деионизованной водой в течении 1-2 минут. 3.

14 Перенести кассету с пластинами из промежуточной ванны в ванну каскадной промывки. 3. 15 Проводить отмывку пластин в деионизованной воде в первой и во второй ваннах каскада в течении 2-3 минут в каждой ванне.

В третьей ванне каскада выдержать до снижения сопротивления сливной воды 3 Момсм по прибору контроля сопротивления деионизованной воды. 3. 16 Перенести кассету с пластинами на сушку пластин по ТВО 734 618 ТАК КАК по окончании отмывки пластин.

3. 17 Передать обработанные пластины в кассете на следующую операцию, заполнив сопроводительный лист. 3.

18 Отключить по окончании работы нагреватели ванн, поставив тумблер блока управления НАГРЕВАТЕЛЬ в нижнее положение. 3. 19 Слить серную кислоту и смесь Каро из рабочих ванн, открыв кран слива и предварительно охладив их до 80-50 0С.

Перед сливом серной кислоты добавить в ванну 200 мл перекиси водорода. 3. 20 Промыть рабочие ванны, находящиеся в них решетки и нагреватели, деионизованной водой из шланга.

3. 21 Закрыть вентили слива и закрыть рабочие ванны крышками. 3.

22 Протереть стол установки, крышки ванн салфеткой из мадаполама. 3. 23 Отключить технологический блок.

Проводить отмывку оснастки и ванн установки не реже одного раза в неделю. Разрешается одновременно обрабатывать по две кассеты с пластинами. КОНТРОЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛА Оборудование система измерительная Н2001 Интеграл зонд измерительный ОМ6010 Алгоритм программы разбраковки Алгоритм программы разбраковки кристаллов 564ИЕ10 приведен в табл.

4. Рис. 3.

Табл. 3. наименование элементов структурыусловное обозначениетип пр-тиматериал слоя наименование ГОСТ, ОСТ, ТУсопротивление слоя sОмтолщина слоя, глубина диффузии мкмзащитный слойН1-SiO2 термический 0.

40. 05диффузионный карман n-канальнх транзисторовН2pтрехфтористый борОСТ 6-02-4-83750-150091. 5защитный слойН3-SiO2 термический 0.

30. 05области стока, истокаН4pтрехфтористый борОСТ 6-02-4-831101. 70.

5защитный слойН5-SiO2 термический 0. 40. 05области стока, истокаН6nфосфор-хлор окисьТУ-09-3537-854020.

5защитный слойН7-SiO2 термический 0. 350. 05диэлектрик .

Скачать
Реферат 06.07.2009

Фотолитография

5. I информация о заводе. 6. «Преобразователь. 7. Вывод. Условные обозначения ФШ – фотошаблон. ФЛ – фотолитография. ФР – фоторезистор. Задание на проект Цель работы изучить суть процесса литографии. Объект изучения пластины кремния. Вывод в процессе изучения

Реферат 09.10.2009

Инструкция по газовым баллонам

ПО Оборудованию Легковых Автомобилей Газобаллонной Аппаратурой Содержание Газовое топливо Устройство газобаллонной аппаратуры Регулировка газовой аппаратуры Работа газовой аппаратуры и устранение неисправностей Советы бывалых Эксплуатация газобаллонной аппаратуры.

Реферат 25.01.2002

Контроль при производстве интегральных микросхем

При изготовлении интегральных схем очень важным является контроль технологических процессов. Хорошо организованный контроль обеспечивает высокий прицент выхода годной продукции. Успешный контроль изготовления интегральных микросхем в основном зависит

5ballov.qip.ru рекомендует:

  • Выбор ВУЗа

    С приходом лета начался период, когда выпускники школ выбирают куда пойдут учиться дальше. Конечно, это совсем не легкий выбор, но помочь в выборе может рейтинг вузов на нашем сайте. Также в этом разделе представлена вся нужная для абитуриентов информация.

  • Как сдать ЕГЭ

    Прежде, чем идти в выбранный вуз с документами, нужно сначала получить аттестат, который выдается после сдачи экзаменов. А подготовиться к ним можно в нашем разделе ЕГЭ. Там также представлены варианты за прошлые года.

  • Подготовка к ГИА

    Для девятиклассников не менее важно окончание учебного года. Их также ждет государственная итоговая аттестация. Подготовиться к ней можно на нашем сайте в разделе ГИА. Главное помнить: самоподготовка - это путь к успешной сдаче.

Облако тегов